I bob qattiq jismlar 1-§. Qattiq jismlarning fizikasida asosiy tushunchalar

Rasm. 11.10. Xar tomonlama yuqori bosim xosil qilish 
kamerasi. 
 
 
 
 
 
11.6 § Kirishma atomlar bilan kompensatsiyalangan kremniyning tenzo 
xususiyatlari 
 
Bir o‗qli bosim ta‘sirida yarimo‗tkazgich materiallarida kuzatilgan deformatsion 
effektlarning  fizik  mexanizmi,  kirishma  atomlarining  chuqur  energetik  sathlarini 
siljishi  natijasida  tok  tashuvchi  elektron  yoki  kovaklarning  konsentratsiyasini  va 
xarakatlanganligini o‗zgarishi bilan tushuntirilgan. Shu sababli, kompensatsiyalangan 
kremniyning  elektro‗tkazuvchanligi  va  Xoll  doimiysini  bir  o‗qli  bosim  ta‘sirida 
o‗rganish,  kremniyda  chuqur  energetik  sath  xosil  qiladigan  kirishma  atomlarning 
xolati va ularning ionlashish energiyasini qiymati haqida ko‗plab ma‘lumotlarni olish 
imkonini beradi.  

---

 
212 
 
Rasm  11.11  Kompensatsiyalangan  kremniyda  bir  o‗qli  bosim  ta‘sirida 
kovaklarning xarakatlanganligini o‗zgarishi 
Yuqoridagi  rasmdan  ko‗rinadiki,  kompensatsiyalangan  kremniy  materialining 
solishtirma  qarshiligini  qiymati  ortib  borgan  sari  tok  tashuvchi  kovaklarni 
xarakatianligining  qiymatini  kamayib  borar  ekan.  Xarakatianligning  qiymatini 
o‗zgarishi <111> kristall o‗qi asosida o‗stirilgan kremniy namunalarida boshqa<110> 
va  <100>  kristall  o‗qlarida  o‗stirilganlariga  qaraganda  katta  bo‗lishi  kazatildi. 
Materialning  solishtirma  qarshiligi  va  Xoll  doyimiysining  qiymatlarini  bir  o‗qli 
bosim  ta‘sirida  o‗zgarishdagi  natijalarni  inobatga  olib  amalga  oshirilgan  nazariy 
xisoblar yordamida tok tashuvchi elektronlarning konsentratsiyasi va xarakatianligini 
qiymati xisoblandi. Xisoblash natijasida aniqlangan kattaliklar 10.12 rasmda berildi. 
Olingan natijalar asosida kompensatsiyalangan  n-turdagi kremniyda kuzatilgan 
tenzoqarshilik effekti bir o‗qli bosim ta‘sirida faqat elektronlarning xarakatchanligini 
o‗zgarishigacha bog‗liq bo‗lmay, ularni konsentratsiyasiga ham bog‗liq ekan.  
Bir  o‗qli  bosim  ta‘sirida  <100>,  <110>  va  <111>    kristall  o‗qlar  asosida 
o‗stirilgan  materiallarda  elektronlar  xarakatchanlikning  kamayishini,  kremniyning 
o‗tkazuvchanlik  sohasidagi  6  ta  energetik  sohalarning  minimumlarini  materialni 
kristallografik o‗q yo‗nalishiga bog‗liq xolda o‗zgarishi bilan tushuntirish mumkin.  
 
 

---

 
213 
 
 
Kompensatsiyalangan  kremniydagi  fotoo‗tkazuvchanlik  xodisasiga  bir  o‗qli 
bosimning (BO‗B) ta‘sirini o‗rganish kremniyda chuqur energetik sath xosil qiluvchi 
va  fotoo‗tkazuvchanlik  xodisasiga  asosiy  sababchi  bo‗lgan  kirishma  atomlarni 
energetik 
sathlari 
haqida 
qimmatli  ma‘lumotlarni  beradi.  SHu  sababli, 
kompensatsiyalangan 
kremniyda 
kuzatilgan 
fotoo‗tkazuvchanlik, 
fotoo‗tkazuvchanlikni  IQ  nurlar  ta‘sirida  so‗nishi,  qoldiq  fotoo‗tkazuvchanlik  kabi 
xodisa va effektlarga bir o‗qli bosimning ta‘siri o‗rganildi.