I bob qattiq jismlar 1-§. Qattiq jismlarning fizikasida asosiy tushunchalar

Sapfirli  taglikda  kremniy  epitaksial  qatlami  o’stiriladi  (geteroepitaksial 
struktura KNS) 
 
Kremniy  sapfir ustida  struktura  yuzasida p- va n-Si  li orolchalar  hosil  qilinib, 
bu orolchalarda n-va p-kanalli MOYa  tranzistorlar yaratiladi:  9.17 rasm 
 
 
 
a)  Kremniy  sapfir  ustida 
- 
struktura(yuzasi 
tozalanadi). 
b)  SiO
2
-  to‘siq  hosil 
qilish. 
v)  Epitaksial  p-Si  ni  lokal 
yemirish  va  SiO
2
  -  to‘siqni 
tozalash 
 
 
 
g)  Orolchaning 
biriga 
to‘siq  hosil  qilish  va 
ikkinchisiga 
fosfor 
diffuziya  qilish  (yoki 
ionli legirlash) 
e) 
To‘siqni olib 
tashlash 
d)  Yupqa  zatvor  osti  oksidi 
o‘stirish(SiO
2
) 
va 
polikristall 
kremniy 
qatlami hosil qilish. 

---

 
160 
KMOP-  KNS  –IS  (kremniy  metal-oksid-yarim  o‘tkazgich  tranzistori  sapfir  taglik 
ustida  hosil  qilingan  integral  sxema)  larning  keng  qo‘llanilishiga  to‘sqinlik  qiluvchi 
asosiy faktorlar: 
- sapfirning narxining qimmatligi 
- taglik qattiq bo‘lgani uchun mexanik ishlov berishning murakkabligi. 
-kristall  strukturasi  Si  nikidan  farq  qilgani  uchun  epitaksial  qatlam  o‘stiradigan 
yuzasini tayyorlashga qo‘yiladigan talablarni juda yuqoriligi. 
Shuning uchun amorf tagliklarda kremniy epitaksial qatlami strukturalar yaratiladi.