Hujjat sarlavhasi

Flesh-xotiraga axborotni yozish jarayoni

Flesh-xotira axborotni yacheyka (cell) deb ataluvchi “qulfi suzuvchi” tranzistorlar massivida saqlaydi. An’anaviy qurilmalarda bir xil sathli har bir yacheyka bir bit axborotni saqlay oladi. Bunday qurilmalar inglizcha single-level cell, SLC deb yuritiladi. Ba’zi bir yaratilgan yangi qurilmalarda har bir yacheykaga bir bitdan ko‘p bo‘lgan axborotni saqlay olish imkoniyatiga ega (1-rasm).

Arxitekturasi ILI NE (NOR) elementiga asoslangan flesh xotira qurilmalari

Bunday flesh-xotira turlarining asosida ILI NE (NOR) tranzistor elementlari yotadi. Tranzistorda boshqaruvchi va “suzuvchi qulf” lar mavjud bo‘ladi. Suzuvchi qulf to‘liq himoyalangan hamda

elektronlarni 10 yil

muddatgacha saqlash

imkoniyatiga ega. Yacheykalarning kirish va chiqish yo‘llari mavjud. Dasturiy yozish jarayonida kuchlanish boshqaruvchi qulfda elektr maydonini hosil qiladi va unda tunnel effekti

vujudga keladi. Ba’zi elektronlar himoya qatlami orasidan tunnelga o‘tadi va suzuvchan qulfda to‘plangan holda saqlanadi. Tranzistorning suzuvchi qulfdagi elektr zaryadlari chiqish va kirish yo‘llarini kengaytiradi va uning o‘tkazuvchanligini oshiradi, bu hodisa axborotni o‘qish uchun qo‘l keladi.

Dasturiy yo‘l bilan axborotni o‘qish qurilmaning energiya sarfi jihatidan juda katta farq qiladigan jarayon. Flesh-xotira qurilmalariga axborot yozish jarayoni

nisbatan katta energiya sarf qiluvchi jarayon hisoblanadi, axborotni o‘qish jarayoni esa nisbatan kam energiya sarf qiluvchi jarayondir.

Flesh-xotira qurilmalaridagi axborotni o‘chirish uchun boshqaruvchi qulfga manfiy yuqori kuchlanish beriladi va elektronlar suzuvchi qulfdan chiqish yo‘liga oqib o‘tadi (tunnellashadi). ILI NE (NOR) arxitekturali flesh xotira qurilmalarida har bir tranzistorga alohida kontakt keltirishni talab qilinishi tufayli u qurilmaning fizik hajmini kattalashtirib yuboradi. Bu muammo I-NE (NAND) arxitekturali flesh-xotira qurilmalarida o‘z yechimini topgan.