Мирзаев жасурбек исраилович

Рис.3.3. Влияния температуры на осцилляции плотности энергетический состояний в квантовой яме HgCdTe/CdHgTe [97;С.63-76] (квантовая яма Cd_xHg_1-xTe d=15 nm) при В=15 Тл и d=15 нм, вычислено по формуле (3.22).



Рис.3.4. Зависимость энергии носителей заряда межзонной рекомбинации от толщины квантовой ямы In_0.53Ga_0.47As/In_0.52Al_0.48As [97;С.63-76].
В частности, на рисунке 3.5 показано изменение осцилляции плотности состояний для толщины квантовой ямы d=5 нм, 10 нм, 15 нм, 20 нм, при Т=2К и В=10 Тл. Как видно из этого рисунка, с ростом толщины квантовой ямы, дискретные уровни Ландау двигаются на лево (изменяется вдоль оси Х), но пики уровней Ландау не меняются. И так заключаем: величина толщины квантовой ямы сильно влияет на энергетический спектр носителей зарядов, однако количество плотностей состояний будет постоянной, при различных толщинах квантовой ямой в квантующем магнитном поле.

3.3-§. Обработка экспериментальных результатов, квантово – размерных гетероструктурных материалов при воздействии поперечного квантующего магнитного поля

Как известно, активно изучается свойства наноразмерной полупроводниковой структуры при воздействии поперечного квантующего магнитного поля с момента открытия квантового эффекта Холла. Природа осцилляций плотности энергетических состояний двумерного электронного газа является проблемой жизненно важной для понимания многих квантовых явлений, наблюдаемых в системе, например, осцилляции Шубникова-де Гааза и де Гааз-ван Альфена, циклотронный резонанс, магнитная ёмкость и теплоемкость.
На сегодняшний день температурная зависимость осцилляции плотности энергетический состояний в двумерных полупроводниковых материалах мало изучалось. Этот вывод относится не только к рассчитанной плотности состояний, но и к измеренной осцилляции плотности состояний при наличии сильного поперечного магнитного поля. Действительно, некоторые экспериментаторы сообщили зависимость осцилляции плотности состояний от поперечного квантующего магнитного поля для прямоугольной квантовой ямы при постоянных низких температурах [75; pp.1305 – 1323. 98; pp.1802-1808].