Kirish Hisoblash texnikasining ilk tarixini tahlil qilar ekanlar, xorijlik ayrim tadqiqotchilar kompyuterning qadimiy o‘tmishdoshi sifatida tez-tez “abak’ deb atalgan mexanik qurilmalarni aytib o‘tadilar


Diodli-tranzistorli mantiq Raqamli mantiq oilasidan birinchi bo‘lib diodli-tranzistorli mantiqni ko‘rib chiqamiz



Download 1,62 Mb.
bet11/16
Sana29.01.2022
Hajmi1,62 Mb.
#418069
1   ...   8   9   10   11   12   13   14   15   16
Bog'liq
4. Yarim o’tkazgichli asboblar

Diodli-tranzistorli mantiq

Raqamli mantiq oilasidan birinchi bo‘lib diodli-tranzistorli mantiqni ko‘rib chiqamiz


D
b)
TMning asosiy sxemasi 3.28a rasmga mos ravishda keltirilgan. Agar sxemaning punktir bilan belgilangan bir qismini olib tashlasak sxema invertorga aylanadi va u bo‘yicha Ux dan Ua gacha uzatish tavsifini tuzish mumkin Agar A kirish qismidagi kuchlanish 0 ga teng bo‘lsa, u holda VD1 diod to‘g‘ri yo‘nalishda siljigan va U1 kuchlanish +0,6 V ga teng. Bu miqdor VD2 va VD3 diodlarni ochish uchun va VТ1 tranzistorning baza – emitterining o‘tishi uchun yetarli emas . Shuning uchun, i1 toki VD1 diodi, Ua kuchlanish manba’si orqali o‘tib yerga o‘tadi. VТ1 tranzistori yopiq, bunda Ux = +5 V. Agar Ua ortadigan bo‘lsa, u holda U1 kuchlanish 1,2 V gacha ortadi. Bunda U1 = 1,8 V. Shu momentda VD2, VD2, VТ1 ochiladi, i1 toki VТ1 tranzistor orqali o‘tadi va uni to‘yingan holatga o‘tkazadi. Ua kuchlanishining keyingi ortishi VD1 diodni yopadi, lekin U1 miqdorga yoki VТ1 tranzistorning holatiga ta’sir o‘tkaza olmaydi. Ux kuchlanishning +0,5 V dan Uto‘yinkoef to‘yingan tranzistordagi miqdorgacha kuchlanish miqdorining nisbatan keskin o‘zgarishi 3.28b rasmga mos ravishda keltirilgan. Grafikdan ko‘rinib turibdiki, 0 va 1 mantiqiy holatlarga mos keluvchi kuchlanishlar intervallari, taxminan quyidagiga teng 0≤U0≤1.2 V 1.5≤U1≤5 V
Amalda, U0 kuchlanish 0,4 V dan kichik, U1 esa 5 V ga juda yaqin, u esa o‘zgarmas tok bo‘yicha ko‘zga-ko‘rinarli shovqin zahirasini ta’minlaydi.



3.28a-rasm



3.28b-rasm
Agar kirish qismiga mantiqiy 1 ga mos keluvchi kuchlanish uzatilgan bo‘lsa, diod teskari yonalishda siljiydi, va demak, oldingi sxemaning chiqish qismidan minimal quvvatni iste’mol qiladi. Biroq, kirishda mantiqiy 0 ning kuchlanishi ushlanib qolsa, tok to‘yingan tranzistor orqali elementning kirish qismidagi qisqichdan u erga oqishi kerak. Bu bir birlik yuklamaga mos keladi. Agar bitta chiqish qismiga n ta kirish ulangan bo‘lsa, toyingan tranzistor i1 ga qaraganda n marta kop bo‘lgan tokni o‘tkazishi kerak. Agar n ortadigan bo‘lsa, kuchlanishi ham ortadi, bu esa chiqish tranzistori kuchlanishining o‘sishiga ekvivalentdir. Bu hodisa 3.28b- rasmga bir birlik chiqish yuklamasi holati uchun va sakkiz birlik yuklama holati uchun tasvirlangan uzatish tavsifiga mos ravishda berilgan (DTM asos elementi uchun maksimal mumkin bo‘lgan miqdor).
3.28a-rasmga mos ravishda sxemaga Ub kirishni hosil qilish uchun ikkinchi diodni qo‘shadigan bo‘lsak, u holda, agar kirishlardan hech bo‘lmaganda bittasi mantiqiy nol holatida bo‘lsa, Ux kuchlanish mantiqiy 1 ga mos keladi. Agar ikkita kirishda ham mantiqiy 1 ga mos keluvchi kuchlanish mavjud bo‘lsa, chiqishda mantiqiy nolni hosil qilish mumkin, ya’ni shu sxema tomonidan bajariladigan mantiqiy amal quyidagi ko‘rinishga ega:
Х =
Bu esa YO‘Q-VA amaliga mos keladi. DTMdagi kirishlarning hajmini kengaytirish uchun diodlarni qo‘shishni bajarib undagi baza elementdagi kirishlar sonini 20 ga yetkazish mumkin.
Agar YO‘Q-VA elementining DTMdagi ikki (undan ortiq) chiqish qismi ulangan bo‘lsa, natijaviy sxema YO‘Q-VA elementlarining chiqishlariga VA amalini bajaradi. Sxemadan ko‘rinib turibdiki, ikkita kirishlarning hech bo‘lmaganda bittasida mantiqiy nolning kuchlanishi mavjud bo‘lsa, u holda umumiy chiqish mantiqiy nol holatida bo‘ladi. YO‘Q-VA elementining ikkita chiqishi ham mantiqiy 1 holatida bo‘lsa, u holda chiqishda ham mantiqiy 1 hosil bo‘ladi. VA sim orqali ulanish deyiladi. Bunday sxemaning chiqarishdagi yuklash qobiliyati, liniya orqali ulanishning, har bir qo‘shimcha chiqishi uchun yuklamasi bir birlikka kamaytirilgan bo‘lishi kerak, chunki chiqarish kuchlanishi mantiqiy birga mos keluvchi tranzistorning kollektor qarshiliklar umumiy chiqishini shuntlash imkoniyatini e’tiborga olish kerak. DTM ga tegishli bo‘lgan elementni uzatish kechikishi 30 ns ni tashkil qiladi. Bu nisbatan katta miqdor bo‘lgani bilan, ko‘p hollarda buning imkoniyati bor.
Diodli-tranzistorli mantiqlar oilasi VA, YOKI, YO‘Q-VA, YO‘Q-YOKI va YOKINING INKORI elementlarni o‘z ichiga oladi. Bu oila turli elementlarning katta to‘plamiga ega bo‘lganligi sababli, konstruktor uchun qulay. Sxemalarning ko‘pchiligi, ta’minlash manba’sini musbat qutb bilan yoki yerga ulash tavsiya qilinadigan, bir nechta foydalanilmaydigan kiritish klemmalarini o‘z ichiga oladi. Bu to‘sqindan himoyani oshiradi va uzatish vaqtining kechikishini kamaytiradi.

Download 1,62 Mb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   ...   8   9   10   11   12   13   14   15   16




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling

kiriting | ro'yxatdan o'tish
    Bosh sahifa
юртда тантана
Боғда битган
Бугун юртда
Эшитганлар жилманглар
Эшитмадим деманглар
битган бодомлар
Yangiariq tumani
qitish marakazi
Raqamli texnologiyalar
ilishida muhokamadan
tasdiqqa tavsiya
tavsiya etilgan
iqtisodiyot kafedrasi
steiermarkischen landesregierung
asarlaringizni yuboring
o'zingizning asarlaringizni
Iltimos faqat
faqat o'zingizning
steierm rkischen
landesregierung fachabteilung
rkischen landesregierung
hamshira loyihasi
loyihasi mavsum
faolyatining oqibatlari
asosiy adabiyotlar
fakulteti ahborot
ahborot havfsizligi
havfsizligi kafedrasi
fanidan bo’yicha
fakulteti iqtisodiyot
boshqaruv fakulteti
chiqarishda boshqaruv
ishlab chiqarishda
iqtisodiyot fakultet
multiservis tarmoqlari
fanidan asosiy
Uzbek fanidan
mavzulari potok
asosidagi multiservis
'aliyyil a'ziym
billahil 'aliyyil
illaa billahil
quvvata illaa
falah' deganida
Kompyuter savodxonligi
bo’yicha mustaqil
'alal falah'
Hayya 'alal
'alas soloh
Hayya 'alas
mavsum boyicha


yuklab olish