Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
109 
На рис. 3 приведены концентрационные профили распределения Cd, S 
и Ba по глубине для CdS имплантированного ионами Ba
+
с Е
0
=0,5 кэВ при 
D 
= D
н
=6×10
16
см
–2
. Видно, что поверхностная концентрация С
Ba
=42 ат.%, С
Cd
= 
36 ат.%, С
S
= 22 ат.%. Эти концентрации до 
d
= 25–30 Å существенно не 
меняются. При изменении 
d
в интервале 

25–100 Å С
Ba
резко уменьшается 
до 0, С
Cd
проходит через минимум при 
d
= 35–40 Å, а С
S
проходит через 
максимум при 
d
=50–60 Å. В максимуме С
S
составляет 

55–60 ат.%. Поэтому 
можно полагать, что в процессе ионной бомбардировки наряду с 
интенсивным распылением атомов S с поверхности, происходит заметная 
диффузия их в глубину CdS. При 
d
=120–140 Å С
Ba
уменьшается до нуля, а 
концентрация S и Cd соответственно составляет 

48 и 52 ат.%.
Таким образом, в результате имплантации ионов Ва
+
с Е
0

5 кэВ при дозе 
насыщения поверхность
CdS полностью разупорядочивается и в ионно-
легированном слое содержаться несвязанные атомы Ва, Cd и S, а также 
соединения типа Ba-Cd-S, Cd-S и Ba-S. В случае Е
0
=1 кэВ толщина 
однородно легированного слоя составляет 25-30 Å и в ней общая 
концентрация Ва составляет 

35-40 ат.%. После прогрева этой системы при 
Т
=800 
К в течении 30-40 мин на поверхности формируется 
монористаллическая, эпитаксиальная пленка с примерным составом 
Cd
0,6
Ва
0,4
S с толщиной 40-45 Å
.