Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
107 
6.
Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А., Поссе Е.А. Протекание тока по 
металлическим шунтам в омических контактах к широкозонным 
полупроводникам А
3
В
5
. //ФТП. 2009. Т.43. №9. с.1204-1209. 
7.
Саченко А.В., Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Конакова Р.В., Кудрик Я.Я., 
Новицкий С.В., Шеремет В.Н. Механизм токопереноса в омическом контакте 
к GaN и другим соединениям А
3
В
5
с высокой плотностью дислокаций. // 
Тезисы докладов 8
ой
Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и 
алюминия – структуры и приборы. 26-28 мая 2011 г. Санкт-Петербург. 
Россия. 2011. с.229-230. 
 
 
ВЛИЯНИЯ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ Вa
+
 НА СОСТАВ И 
СТРУКТУРЫ ПРИПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЕВ ПЛЕНОК CdS 
 
Ж.Ш.Содикжанов
2
, Б.Е. Умирзаков
1
, З.А.Исаханов
2 
1
Ташкентский государственный технический университет имени Ислама 
Каримова, 100095 Ташкент, Узбекистан 
2
Институт ионно-плазменных и лазерных технологий имени У.А. Арифова. 
Академии наук Республики Узбекистан. 100125 Ташкент, Узбекистан
. 
[e-mail] 
Для получения трехкомпонентных наноструктур на поверхности CdS 
проводили имплантацию ионов Ba
+
с 
Е
0
≤ 5 кэВ. После имплантации ионов 
концентрации С и О уменьшились до нуля (в пределах чувствительности 
метода оже-спектроскопии 0.1 ат. %). Изменение состава, электронной 
структуры поверхностных слоев CdS в процессе ионной бомбардировки и 
последующего отжига является сложным многоступенчатым процессом. На 
рис. 1 приведены зависимость интенсивности оже-пика Ba (Е
оже
= 584 эВ) для 
CdS имплантированного ионами Ba
+
с 
Е
0
= 1 кэВ при дозах 
D
= 10
14
, 10
15
, 10
16
и 6×10
16
см
–2
. После каждого цикла ионной имплантации проводился прогрев 
образца при Т=850–900 К. При такой температуре полностью 
восстанавливается кристаллическая структура поверхности CdS. Видно, что 
профили распределения Ba при 
D
=10
14
см
-2
имеет форму близкую к 
гауссовой, а при 
D
≥ 10
15
см
–2
гауссовое распределение сохраняется только за 
областью проецированного пробега ионов бария R
p
=25–40 Å. При 
D
≥ 10
16
см
–2
кривые I
Ba
(D) имеет ступенчатый характер. Начиная с 
D
=6

10
16
см
–2
, 
концентрационный профиль распределения атомов Ba практически не 
изменяется, т.е. эта доза является дозой насыщения.
 
Рассмотрим влияние энергии ионов Ba
+
на профили распределения 
атомов Ba по глубине CdS (рис. 2). Во всех случаях имплантация 
проводилась при дозе насыщения (
D
н
= 6×10
16
–10
17
см
–2
).

---