Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
108 
Видно, что при Е
0
=0,5 и 1 кэВ концентрация Ba
+
до глубины 30–40 Å 
мало изменяется и составляет 35–45 ат.%, а затем с ростом 
d 
она резко 
уменьшается. При Е
0
=3 кэВ С
Ba
на поверхности уменьшается, а в 
приповерхностном слое на глубине 

50–60 Å имеет максимум. В максимуме 
С
Ba
=30–35 ат.%. При увеличении Е
0
до 5 кэВ, поверхностная концентрация 
Ba еще уменьшается, а максимум распределения смещается на глубину 65–75 
Å. С ростом энергии ионов наблюдается уменьшение в максимуме С
Ba
, 
уширение максимума распределения ионов и сдвиг его в сторону больших 
глубин. Внедрение ионов Ba
+
приводит к разупорядочению поверхностных 
слоев и разложению CdS, следовательно перераспределению атомов Cd и S в 
ионно-имплантированном слое. 
Рис. 1. Зависимость интенсивности 
оже-пика Ba с Е
оже
 = 584 эВ для CdS 
имплантированного ионами Ba
+
 с Е
0
 = 1 
кэВ при дозах D, см
–2
: 1 – 10
14
; 2 – 10
15
; 3 
– 10
16
; 4 – 6 × 10
16
. 
Рис. 2. Концентрационные профили 
распределения атомов Ва по глубине пленки 
CdS, имплантированной ионами Ba
+
 D = D
н
 
 
при с Е
0
, кэВ: 1 – 0,5; 
2 – 1; 3 – 3; 4 – 5
. 
 
Рис. 3. Концентрационные профили распределения атомов Cd, S и Ba по глубине для CdS 
имплантированного ионами Ba
+
 с Е
0
 = 0,5 кэВ при D = D
н
 = 6 × 10
16
 см
–2
. 

---