6.
Бахадырханов М.К., Исамов С.Б., Исмайлов Б.К, Без
эрозионная технология легирования кремния серой и повышение
концентрации ее электроактивных атомов’’ // Приборы №4 (2019)
7.
Абдурахманов Б.А., Аюпов К.С., Бахадырханов М.К.,
Х.М.илиев, Бобонов Д.Т. Зикриллаев Н.Ф., Сапарениязова З.М., Тошов А.
“Низкотемпературная диффузия примесей в кремнии” // Академии наук
Республики Узбекистан. – Ташкент, 2010. - №4. - С.32-36(01.00.00.№7).
8.
Бахадырханов М.К. Аюпов К.С. Термические свойства кремния с
кластерами атомов никеля// ИВУЗ, 2008-№12-С.170-172.
9.
Иванова Н. П., Жилинский В. В. Химия сплавов Электронный
конспект лекций по дисциплине// «Химия сплавов» для студентов
специальности 1-48 01 04 «Технология электрохимических производств»
Минск, 2012. -С.100-113.
10.
А. Асташкевич, А. Фрунзе. Датчики температуры. //
Схемотехника, №1. Москва, 2000-С. 14-17.
11.
Бахадирхонов М.К., Насриддинов С.С., Валиев С.А., Тачилин
С.А., Эгамов У. / Чувствительный, быстродействующий и радиационное
стойкий термодатчик для дистанционного контроля температуры. //
Заводская лаборатория. Москва. 2008, Т.74, №11, -С. 12-14.
Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar
II xalqaro ilmiy anjumani
19-20 noyabr 2021 yil
381
ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ
С АКТИВНЫМ ЭЛЕМЕНТОМ
Т. Ахмедов., С.М. Отажонов., М.М. Халилов.,
Қ.А. Ботиров., Н.Юнусов
Ферганский государственный университет, Фергана
В последние годы в мире резко возрастает интерес к
полупроводниковым
тензодатчикам.
Причиной
бурного
развития
полупроводниковой тензометрии является новые широкие возможности
применения полупроводниковых тензодатчиков в области исследования
прочности материала и конструкций, в сверх миниатюрных преобразователях
механических величин (силы, давления, деформации, момента и т.д.) в
электрические сигналы. Исследование тензометрических свойств различных
полуппорониковых материалов и приборов показало, что многие из них
могут служить датчиками деформаций и давлений, обладающими
существенными преимуществами перед известными проволочными
тензочувствительными элементами [1].
В связи с этим нами было создано тонкопленочный датчик давления с
активным элементом и исследовано их свойства.
Известны тонкопленочный датчик давления, содержащий корпус,
круглую мембрану с периферийным основанием, по которому мембрана
закреплена в корпус, соединенные тонкопленочными перемычками из
низкоомного материала и включенные соответственно в противоположные
плечи измерительного моста, окружные и радиальные тензорезисторы,
выполненные в виде соединенных тонкопленочных перемычками
одинакового форму тензоэлементов, расположенных по окружности на
периферии мембраны, причем тонкопленочные перемычки, которыми
соединены тензоэлементы окружных и радиальных тензорезисторов. [2,3].
C
целью
полностью
передавать
измеряемую
давлению
к
измерительному прибору, позволяющих точность измерения в широких
диапазонах циклических деформации решается тем, что полупроводниковый
датчик давления получен прямо на поверхность мембраны, который значение
давлении полностью передаются к измерительному прибору без потери. Это
позволяет повысить стабильность значение давления и точность в
измерительных приборах. Применение полупроводниковых пленочных
тензорезисторов в качестве датчиков давления дает ряд преимуществ по
сравнению применении других типов тензорезисторов: проволочных,
фольговых, монокристаллических полупроводников. Первую очередь, это
связана с коэффициентом передачи деформации от деформируемого тела к
тензочувствительному элементу и малым обратным воздействием на
исследуемое тело. Предлагаемые нами конструкции в качестве
Do'stlaringiz bilan baham: |