Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
378 
сопротивление который составляет практически, как удельное собственного 
кремния представляет большой научный и практический интерес. Так как 
технология получения сильнокомпенсированного кремния достаточно 
обработано 
позволяет 
получения 
материала 
с 
заданными 
электрофизическими параметрами.
В связи с этим в данной работе представлены использование 
сильнокомпенсированного кремния легированного с различными примесями 
с глубокими энергетическими уровнями. При этом особое внимания были 
уделено на стабильность примесных атомов в решетки кремния, их 
энергетических уровни в запрещенной зоне, диффузионной технологии 
легирования. а также параметров исходного материала. Из анализа 
существующих данных были выбраны в качестве компенсирующей примеси 
серы и никеля, так как состояние атомов этих элементов в решетке кремния 
достаточно стабильно в интервале Т=(30-450
0
С), а их глубокие 
энергетические уровни (Е
Si 
= (Е
c
-0,5)Эв для серы и Е
Ni 
= (Е
v
+ 0,4)Эв для
никеля) позволяет получит, практически полной компенсации 
концентрациии исходных мельких энергетических уровней.Что и дало нам 
получит материал Si(B,S), Si(P,Ni) с ρ=10
3
÷10
5
Ом·см. Для легирование 
серой были использованы р –типа кремния с удельными сопротивлениями 
ρ=1·Ом.см., а для никель n- тип кремния ρ=40·Ом.см. Температура время 
диффузии выбирались такие образцы, чтобы выполнялись условие N
s 
≈2N
p
и
N
Ni
=2N
p
где Ns и N
Ni
N
B
и N
p 
–концентрации электроактивных атомов серы, 
никеля, бора и фосфора соответственно.
Диффузии серы проводилось из газовой фазы, для исключения эррозии 
диффузию проводили по новой технология, который позволяют не только 
эррозии поверхности материала но и существенного увеличения 
диффузионного процесса [6], а диффузию никеля из напыленного чистого 
металлического слоя никеля, с толщиной около одного микрона.
Таблица 1. 
№