Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
321 
образований Ni и Pd в образце Si. Сопротивление зонда W, расположенного 
на поверхности подложки Si, показанной на (рис. 2), было определено 
экспериментально. Общий вид НДС показал, что текущая поправка между 
металлической структурой в образце кремния определяется свойством 
контакта. 
Рисунок 3 Изображение поверхности (АСМ) образца Si с никелевыми 
образованиями (кластерами). а - необработанный поверхностный слой, b - 
через 1 час обработки, c - через 2 часа обработки, d - через 3 часа обработки.
Как видно из рисунка выше, кластеры Ni и Pd на поверхности образцов 
Si представляют собой наноструктурированные слои образующие барьер 
Шоттки. Различия между НДС трехчасовых обработанных образцов и ВАХ 
чистой подложки, то есть кремния, подтвердили, что кластеры Ni и Pd в 
образце образуют наноструктуры барьерного типа, что подтверждается ВАХ 
структур. Было замечено, что наноструктуры барьерного типа имели 
электрофизические параметры чувствительные к температуре и свету. Это, в 
свою очередь открывает новый мир наноразмерных термодатчиков и 
фотоэлементов. 
а) 
b) 
c) 
d) 

---

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
322 
Литература 
 
1.
Zikrillayev Nurullo, Saitov Elyor. Silicon materials -the future of 
photovoltaics. Monograph - LAP LAMBERT Academic Publishing. 2019, 
ISBN: 987-620-0-50311-4. 
2.
K.T. Ho, C.-D. Lien, M.-A. Nicolet. J. Appl. Phys. 57 (2), 232 (1985). 
3.
К.В. Шалимова. Физика полупроводников М., Энергия,1976. 
4.
M. K. Bakhadyrkhanov, S.B.Isamov, and N.F.Zikrillaev IR Photodetectors 
in the Range of λ=1,5-8μm, Based on Silicon with Multicharged 
Nanooclusters of Manganese Atoms, MicroelectronikaVol. 41, No. 6, pp. 
433-435.2012. 
5.
B. A. Abdurakhmanov, M. K. Bakhadirkhanov, E.B Saitov and other// 
Formation of Clusters of Impurity Atoms of Nickel in Silicon and 
Controlling Their Parameters Nanoscience and Nanotechnology, Vol. 4 No. 
2, 2014. 
6.
B. A. Abdurakhmanov, M. K. Bakhadirkhanov, H. M. Iliyev, E.B Saitov and 
other// Silicon with Clusters of Impurity Atoms as a Novel Material for 
Photovoltaic// Nanoscience and Nanotechnology, Vol. 4 No. 3, 2014. 
7.
Saitov E.B. Optimal model for additional operation of the storage system for 
photovoltaic wind power plants. E3S Web of Conferences, Volume 220, 
Sustainable Energy Systems: Innovative Perspectives, SES 2020; Saint-
Petersburg; 
Russian 
Federation; 
29 
October 
2020. 
DOI: 
10.1051/e3sconf/202022001080. 
8.
Saitov E.B., Sobirov Y.B., Yuldoshev I.A., Jurayev I.R., Kodirov S. Study 
of Solar Radiation and Wind Characteristics in Various Regions of 
Uzbekistan. E3S Web of Conferences, Volume 220, Sustainable Energy 
Systems: Innovative Perspectives, SES 2020; Saint-Petersburg; Russian 
Federation; 29 October 2020. DOI: 10.1051/e3sconf/202022001061. 
9.
E.B.Saitov. Renewable Energy Development in Uzbekistan: Current Status, 
Problems and Solutions. RSES 2020, E3S Web of Conferences 216, 01134 
(2020). DOI: 10.1051/e3sconf/202021601134. 
10.
E.B.Saitov., J.B.Toshov., A.O.Pulatov., B.M.Botirov., Yu.M.Kurbanov. 
Networked interactive solar panels over the roof photovoltaic system (PVS) 
and its cost analysis at Tashkent state technical University. RSES 2020, E3S 
Web 
of 
Conferences 
216, 
01133 
(2020). 
DOI: 
10.1051/e3sconf/202021601133. 
11.
I Sapaev, E Saitov, N Zoxidov, B Kamanov. Matlab-model of a solar 
photovoltaic station integrated with a local electrical network. IOP 
Conference Series: Materials Science and Engineering, 883, 1, 012116, IOP 
Publishing, 2020/7/1.

---