Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar
II xalqaro ilmiy anjumani
19-20 noyabr 2021 yil
321
образований Ni и Pd в образце Si. Сопротивление зонда W, расположенного
на поверхности подложки Si, показанной на (рис. 2), было определено
экспериментально. Общий вид НДС показал, что текущая поправка между
металлической структурой в образце кремния определяется свойством
контакта.
Рисунок 3 Изображение поверхности (АСМ) образца Si с никелевыми
образованиями (кластерами). а - необработанный поверхностный слой, b -
через 1 час обработки, c - через 2 часа обработки, d - через 3 часа обработки.
Как видно из рисунка выше, кластеры Ni и Pd на поверхности образцов
Si представляют собой наноструктурированные слои образующие барьер
Шоттки. Различия между НДС трехчасовых обработанных образцов и ВАХ
чистой подложки, то есть кремния, подтвердили, что кластеры Ni и Pd в
образце образуют наноструктуры барьерного типа, что подтверждается ВАХ
структур. Было замечено, что наноструктуры барьерного типа имели
электрофизические параметры чувствительные к температуре и свету. Это, в
свою очередь открывает новый мир наноразмерных термодатчиков и
фотоэлементов.
а)
b)
c)
d)
Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar
II xalqaro ilmiy anjumani
19-20 noyabr 2021 yil
322
Литература
1.
Zikrillayev Nurullo, Saitov Elyor. Silicon materials -the future of
photovoltaics. Monograph - LAP LAMBERT Academic Publishing. 2019,
ISBN: 987-620-0-50311-4.
2.
K.T. Ho, C.-D. Lien, M.-A. Nicolet. J. Appl. Phys. 57 (2), 232 (1985).
3.
К.В. Шалимова. Физика полупроводников М., Энергия,1976.
4.
M. K. Bakhadyrkhanov, S.B.Isamov, and N.F.Zikrillaev IR Photodetectors
in the Range of λ=1,5-8μm, Based on Silicon with Multicharged
Nanooclusters of Manganese Atoms, MicroelectronikaVol. 41, No. 6, pp.
433-435.2012.
5.
B. A. Abdurakhmanov, M. K. Bakhadirkhanov, E.B Saitov and other//
Formation of Clusters of Impurity Atoms of Nickel in Silicon and
Controlling Their Parameters Nanoscience and Nanotechnology, Vol. 4 No.
2, 2014.
6.
B. A. Abdurakhmanov, M. K. Bakhadirkhanov, H. M. Iliyev, E.B Saitov and
other// Silicon with Clusters of Impurity Atoms as a Novel Material for
Photovoltaic// Nanoscience and Nanotechnology, Vol. 4 No. 3, 2014.
7.
Saitov E.B. Optimal model for additional operation of the storage system for
photovoltaic wind power plants. E3S Web of Conferences, Volume 220,
Sustainable Energy Systems: Innovative Perspectives, SES 2020; Saint-
Petersburg;
Russian
Federation;
29
October
2020.
DOI:
10.1051/e3sconf/202022001080.
8.
Saitov E.B., Sobirov Y.B., Yuldoshev I.A., Jurayev I.R., Kodirov S. Study
of Solar Radiation and Wind Characteristics in Various Regions of
Uzbekistan. E3S Web of Conferences, Volume 220, Sustainable Energy
Systems: Innovative Perspectives, SES 2020; Saint-Petersburg; Russian
Federation; 29 October 2020. DOI: 10.1051/e3sconf/202022001061.
9.
E.B.Saitov. Renewable Energy Development in Uzbekistan: Current Status,
Problems and Solutions. RSES 2020, E3S Web of Conferences 216, 01134
(2020). DOI: 10.1051/e3sconf/202021601134.
10.
E.B.Saitov., J.B.Toshov., A.O.Pulatov., B.M.Botirov., Yu.M.Kurbanov.
Networked interactive solar panels over the roof photovoltaic system (PVS)
and its cost analysis at Tashkent state technical University. RSES 2020, E3S
Web
of
Conferences
216,
01133
(2020).
DOI:
10.1051/e3sconf/202021601133.
11.
I Sapaev, E Saitov, N Zoxidov, B Kamanov. Matlab-model of a solar
photovoltaic station integrated with a local electrical network. IOP
Conference Series: Materials Science and Engineering, 883, 1, 012116, IOP
Publishing, 2020/7/1.
Do'stlaringiz bilan baham: |