Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
319 
-2
-1
0
1
2
-2
-1
0
1
2
a)
I, mA
U, B
закреплена на опорной поверхности, а поверхность пластины покрыта 
тонким слоем алюминия 7 [3].
Рисунок 1. Электрическая схема и механическая 
конструкция прибора для измерения ВАХ. 
Образец для испытания на ВАХ помещается на пластину. Контакт слоя 
в кремнии регистрировался зондом W и алюминиевым диском. В этом случае 
(с учетом известных сопротивлений в указанной выше зоне НДС) измерялось 
падение напряжения на контактах.
Si (Ni) 
Si (Pd) 
Рисунок 2. ВАХ никелевых и палладиевых образований (кластеров) на 
поверхности кремниевой подложки (образцы, обработанные при разных 
температурах). ВАХ подложки a-Si, ВАХ слоев b-Ni и Pd.
-0,01
0,00
0,01
0,02
0,03
0,04
0,05
0,06
0,07
0,08
-15
-10
-5
0
5
10
15
б)
I, mA
-0,05
0,00
0,05
0,10
0,15
0,20
0,25
0,30
0,35
-1,5
-1
-0,5
0
0,5
1
1,5
б)
I, mA
U, B
-4
-2
0
2
4
-4
-2
0
2
4
I, mA
U, B
a)

---

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
320 
Ток через диод Шоттки согласно [5] описывается соотношением: 
j = j
0
(
), (1) 
где 
- тепловая энергия Вольт, j
o
- ток, определяемый
следующим выражением 
j
o
= q
e
n
s
v
o
(2) 
где q
e
- элементарный заряд, v
0
= 
- средняя тепловая скорость 
носителей заряда, а n
s
- концентрационная поверхностных носителей заряда: 
n
s 
= n*e 
, (3) 
где n - концентрация носителей заряда в единице объема, 
величина барьера Шоттки (Вольт). Когда мы заменяем (1) на (2) и (3) 
j
o
=
q
e 
n
(
) (4) 
Ток течет через контакт Шоттки через площадь S 
) (5) 
Общее сопротивление области контакта зонда с кремнием
определяется «сопротивлением растекания»
(6) 
где ρ - удельное сопротивление подложки, 
r
w
– W - радиус кантакта 
зонда с кремниевой подложкой, μ - подвижность носителей заряда. 
Концентрация носителей заряда в подложке Si под зондом равна: 
(7) 
Где n
0
- начальная концентрации носителей заряда, n
i
- инжекционная 
концентрация носителей заряда; j
w
- ток инжекции носителей заряда и τ -
время пребывания носителей заряда вблизи зонда.
Когда ток проходит через данный зонд и базу, он равен следующему. 
(8) 
Если ток и напряжение, указанные в уравнении (7), проходят 
непосредственно через образец, общее напряжение в системе равно U, когда 
зонд W имеет базовое напряжение U
1
, а базовый слой имеет напряжение U
2
.
(9) 
В системе есть три формулы: I (U), U (U
1
) и U (U
2
). Вышеизложенное 
является результатом структурного исследования НДС повезхностных

---