Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
283 
Таблица 1.

Параметры, определенные из участков ВАХ 
Номер 
образца 
Участок ВАХ 
µ
n
τ
n
, 
cm
2
∙V
-1
 
N
R
/
τ
i
, cm
3
∙s
-1
 
n
(0), cm
-3
N
A
, cm
-3
2
1
,
p
i
c

cm
-3
Прямая ВАХ 
1. 
До 
УЗО 
2.После 
УЗО 
J
~
V
J
~
V
2
(Закон 
Ламперта) 
J
~
V
5.28 
J
~
V
2
J
~
V
J
~
V
2
(Закон 
Ламперта) 
J
~
V
5 
J
~
V
2
6.15∙10
-6 
5∙10
-6 
5.6∙10
16 
2.45∙10
17 
1.35∙10
17 
5.6∙10
17
2.26∙10
10
-5∙10
11 
2.95∙10
13
-9.1∙10
13 
3.8∙10
10
-5.7∙10
11 
3.95∙10
13
-1.2∙10
14
 
10
10 
2.4∙10
10
1.02∙10
10 
1.22∙10
10 
 
Литература 
[1]. A.K. Uteniyazov, K.A. Ismailov. Effect of ultrasound irradiation on the 
electrophysical properties of the structure of Al–Al
2
O
3
–CdTe. // Semiconductor 
Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. vol. 22, no 2, pp. 165 -170, 
2019. https://doi.org/10.15407/spqeo22.02.165. 
[2]. Sh.A.Mirsagatov, A.K.Uteniyazov. The mechanism of current transport in the 
structure Al-
p
-CdTe-Mo with different thickness of the base. // PSE, 2015, vol. 13, 
No. 3, p. 325-329. 
[3]. A.Yu. Leyderman, M.K. Minbaeva. Mechanism of rapid growth of the direct 
current in semiconductor diode structures, Semiconductors, vol. 30, no. 11, pp. 
905–909, 1996. 
[4]. A.Yu. Leyderman, A.K. Uteniyazov, M.T. Nsanbaev. Рекомбинационные 
процессы в структуре Al–
n
-Al
2
O
3
–
p
-CdTe–Mo. // International Scientific 
journal “Global science and innovations 2020: Central Asia” Nur-Sultan, 
Kazakhstan, Feb-March 2020, № 3(3), pp. 29-32. 
[5]. М.Ламперт, П.Марк. Инжекционные токи в твёрдых телах, Москва, Мир, 
1972, 416 c. 
[6]. Э.И. Адирович, П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. Токи 
двойной инжекции в полупроводниках. Сов.радио, М. (1978), 320 с. 
[7]. Sh.A. Mirsagatov, A.K. Uteniyazov, A.S. Achilov. Mechanism of Current 
Transport in Schottky Barrier Diodes Based on Coarse-Grained CdTe Films. // 
Physics of the Solid State
.
2012.