Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
285 
beriladi hamda manbaning qiymatini o‘zgartirib borgan holda kirishdagi tok va 
kuchlanishlarning qiymati yozib boriladi. Olingan tok va kuchlanishlarning 
qiymatlari asosida tavsif quriladi.
Chiqish tavsifini olish uchun esa kirish zanjiriga ma’lum bir qiymatdagi 
kuchlanish beriladi hamda chiqish zanjiriga ulangan manbaning qiymatini 
o‘zgartirib borgan holda ampermetr va voltmetr yordamida chiqishdagi tok va 
kuchlanishlarning qiymatlari yozib boriladi. 
2-rasm. Volt-amper usuli bilan bipolyar tranzistor VATni o‘lchash sxemasi
Xozirgi kunda kompyuter o‘lchash texnologiyasi asosida bipolyar tranzistor 
VATning avtomatlashtirilgan o‘lchash tizimlari yaratilgan bo‘lib, bunday o‘lchash 
tizimlarining apparat ta’minoti kompyuter va ma’lumotlarni yig‘ish qurilmasidan 
tashkil topgan bo‘ladi. Ma’lumotlarni yig‘ish qurilmasi analog va raqamli kiritish-
chiqarish kanaliga ega bo‘lib, u orqali kompyuter va tadqiq etilayotgan bipolyar 
bilan o‘zaro almashuvi amalga oshiriladi. Analog chiqish kanali bo‘yicha bipolyar 
tranzistorga ta’sir amalga oshiriladi, ya’ni zinasimon o‘zgaruvchi kuchlanish 
uzatiladi. Analog kirish kanali orqali esa kompyuterga yarimo‘tkazgichli 
tranzistordan olingan kuchlanish va tok qiymatlarining raqamli ko‘rinishga 
o‘tkazilgan kodlari kirib keladi. Raqamli kirish-chiqish kanallari o‘lchash tizimini 
boshqarish uchun qo‘llaniladi [2]. 

---

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
286 
3-rasm. Ma’lumotlarni yig‘ish qurilmasiga bipolyar tranzistorni ulash 
O‘lchash natijasi asosida olingan qiymatlardan nafaqat bipolyar 
tranzistorning volt-amper tavsifini qurishimiz, balki tranzistorning 
h
-parametrlarini 
aniqlashimiz mumkin bo‘ladi: 
1.
11
be
b
ke
h
U
I U
const
 


chiqish qisqa tutashtirilganda o‘zgaruvchan tok 
bo‘yicha tranzistorning kirish qarshiligini;
2.
12
be
ke
b
h
U
U
I
const
 


tyeskari bog‘lanish natijasida o‘zgaruvchan chiqish 
kuchlanishining qancha qismi tranzistor kirishiga uzatilayotganini ko‘rsatuvchi 
kuchlanish bo‘yicha teskari bog‘lanish koeffisiyentini;
3.
21
k
b
ke
h
I
I U
const
 


yuklama qarshiligi nol bo‘lganda o‘zgaruvchan 
tokning kuchaytirilishini ko‘rsatuvchi tok uzatish koeffisentini; 
4.
22
k
ke
b
h
I
U
I
const
 


chiqish zanjiri orasida o‘zgaruvchan tok uchun ichki 
o‘tkazuvchanlikni. 
Bipolyar tranzistorning voltamper tavsiflarini tajribada olish, ular orqali 
parametrlarni aniqlash bilan talabalarda tranzistorlarga oid bo‘lgan ma’lumotlar 
amaliy jihatdan mustahkamlanadi.