Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
271 
FOTOELEMENTNING VOLT-AMPER XARAKTERITIKASINI 
ELECTRON, KOVAKLAR VA FONONLAR HARAKATIGA 
YORUG`LIKGA BO`G`LIQLIGI. 
G.Gulyamov
1
, G.N.Majidova
1
, B.B.Shahobiddinov
1
, F.R. Muhitdinova 
e-mail: [e-mail] 
1
Namangan muxandislik – qurilish instituti, 160103, Namangan, 
O’zbekiston. 
Kinetik tenglamadan electron va kovaklar uchun uzluksizligi Boltsmanning 
tenglamasi 
(1) 
Bu yerda 
vaqt birligi ichida rekombinatsiya va 
generatsiyalana-yotgan electron va kovaklar soni (1) ifoda orqali volt –amper 
xarakteristikani chegaraviy shartlari aniqlanadi. P va n sohalar hajmiy zaryad 
chegarasidagi elektronlar va kovaklar konentrasiyasini ifodalarini o`rniga qo`yib 
qo`yidagi tengliklarga ega bo`lamiz [1]. 
 
 
p-n o’tish hajmiy zaryad soxasi kengligi 
bo’lganda 
, 
p-i-n diodning j sohasida rekombinatsiya tufayli oqimning ifodalarini 
topaylik, bu elektronlar, kovaklar, fononlar va p-i-n diodlarining j sohasida 
qo’llaniladigan tashqi kuchlanishga bog’liq bo’ladi [2]. 
 

---

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
272 
p-i-n diodasining i soxasidagi elektronlar va kovaklarning qizisishi 
tufayli i soxadagi to`yinish toki 
Shunday qilib p-n o`tishli dioddan o`tayotgan to`la tok diodning n,i 
va p sohalaridagi generasiya va rekombinasiya toklarining yig`indisidan iborat 
bo`lar ekan [3]. 
Elektronlarning qizishi bo`lgan paytda kontaktlardan bo`ladigan 
injeksiya hisobiga rekombinasiya toklari o`zgaradi [4]. 
 
Elektron, 
kovak va fononlar qiziganda rekombinasiya toklari (yanada) zaryad tashuvchilar 
xaroratiga kuchli bog`liq bo`ladi.rekombinasiya toklari keskin ortadi. Yo`rug`lik 
bo`lmaganda generasiya toklari fononlarning (Kristal panjaraning ) xarorati bilan 
aniqlanadi. Kristal panjara xarorati to`yinish tokiga kuchli ta`sir qiladi.shunday 
qilib electron, kovak va fononlarning xaroratlarini o`zgartirish yo`li bilan p-i-n 
diodning rekombinasiya toklarini boshqarish mumkin. Bu p-n o`tishli diod va 
tranzistorlarning xarakteristikalarini boshqarish imkonini beradi. Shunday qilib 
nomuvozanat xolatda [4]. 
 
 
 
 
Tashqi 
kuchlanish berilsa asosiy bo`lmagan zaryad tashuvchilar konsentrasiyasi 
qo`yidagicha bo`ladi. 
 
U 
holda 
hajmiy 
zaryad 
chegarasidagi 
asisoy 
bo`lmagan 
zaryad 
tashuvchilar 
konsentrasiyasining o`zgarishi qo`yidagicha bo`ladi [5]. 
 
Rekombinasiya toklari qo`yidagicha bo`ladi. 
 
n-soha bilan hajmiy zaryad sohasi chegarasida kovaklar toki 
 
To`la tok 

---