Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
267 
поверхности образцов [11]. Резкий росте концентрации атомов марганца 
вблизи поверхности кремния работах авторами [12,13] объясняется 
осаждением примеси на дефектах кристаллического решетки. 
2. Методика эксперимента 
В работе [14] показано, что при диффузионном легировании кремния 
атомами марганца имеется приповерхностный участок концентрационного 
распределения марганца которые на несколько порядка больше чем в объеме 
кремния. Результаты исследования полученное методом по слоено снятием 
поверхности показано на рис.1
Рис.1
. Распределение концентрации атомов марганца в кремнии в 
диффузии при температуре Т=1250
0
C в течении 15 мин 
Из рисунка видно, что концентрационное распределение марганца в 
кремнии стоит из двух участков. Первый участок приповерхностный с 
глубиной 15÷20 мкм, характеризуется резким спадом концентрации 
примесных атомов марганца на 3÷4 порядка. Второй участок в объёме 
кремния наблюдается более линейный распределение примесных атомов 
марганца. Интересные результаты исследование по диффузии примесных 
атомов марганца в кремнии было получено авторами в работа [14]. Диффузия 
марганца в кремний исследовались в интервале температур T=900
0
C методом 
ДЛТС. Особое внимание обращалось при этом на учет граничных условиях, 
установлено, что прежде чем поверхностная концентрация примесных 
атомов марганца установится более равномерно по объёму, образуется при 
равновесные с атомами марганца, диффундированного в кремний. 
3. Экспериментальные результаты
Из анализа литературных данных установлено, что при взаимодействии 
с кремнием примесные атомы марганца в зависимости технологических 
условиях (температура, время, давления паров диффузионная, концентрация 
примесных атомов исходного материла) образует тринадцать различные 
соединений атомов марганца с атомами кремния [16-18].

---