Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
266 
Современный этап развития электроники и микроэлектроники 
невозможно 
передавить 
без 
улучшения 
контактных 
свойства 
полупроводниковых приборов. Это требует умения формулировать условия 
оптимизации технологических процессов получения хороших оптических и 
инжекционных контактов, уменьшения обе стоимости заграй при получении 
контактов. Для этой цели разрабатывается заменые дорогостоящих 
материалов таких как золото, серебро и других к более дешевым новым 
материалам. В этом плане сблизить лабораторную технологию получения 
полупроводниковых приборов к заведению условиях имеет определенную 
перспективу. Это связано с чем, что многие физические эффекты и явления 
еще не нашли своего практического применения из-за невозможности 
использования существующих технологических режимов при сборке 
выпуска полупроводниковых приборов. Структуры, полученные на основе 
компенсированного кремния, вызывает интерес исследователей, так как был 
обнаружен ряд интересных физических явлений, которые имени вы 
широкого применение в полупроводниковой электронике [1-4].
 
1. Введение 
Исследование электрофизических и фотоэлектрических свойства 
диффузионной легированного кремния элементами I, II, VI групп и 
подгруппы железа хорошо изучено приведены в работах [1-10]. 
Процесс диффузии большинства примесей в кремний осуществлялся 
более высоких температурах в T=900÷1250
0
C из газовой фазы, также или 
химического осажденного, или напиленного в вакууме металлических слоев. 
При этом время диффузионном легирования составила от несколько десятки 
минут до нескольких часов в зависимости от величины коэффициента 
диффузии выбранного примесного элемента в кремний [6,7]. 
Механизм диффузии марганца и электрофизические параметры в 
кремний было изучено с помощью радиоактивных изотопов методом 
диффузии из газовой фазы последующего снятия слоёв шагом ∆х=0,5 мкм 
[8,9]. Концентрационные распределения примесей исследовались четырех 
зондовым методом и нейтронно-активационным анализом [10]. Эти 
результаты исследования показали. Что концентрированные распределение 
erfc-функций. Такое распределение примесей в приповерхностном участке в 
кремнии объясняют по-разному: относительно медленной диффузии 
примесей атомов по между узлами кристаллической решётки, объёмной 
диссипативной диффузией, суть которой состоит в том, что свойства 
приповерхностного 
участка 
обусловлены 
взаимодействием 
быстро 
диффундирующих 
между 
узлы 
атомов 
марганца 
с 
вакансиями 
кристаллической решетки. 
Следующий вариант объяснения механизма диффузия примесных 
атомов марганца в кремний приповерхностного слоя, вызванной обработкой 

---