Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
273 

(2)
 
 
ga teng bo`lsa 
 
Qizigan 
elektron yoki kovak uchun VAX ga ega bo’lamiz. Agar 
ga tenglik 
sharti bajarilsa
 
Umumlashg
an VAХ dan ideal p-n o`tish uchun qo`yidagi Shokli formulasini hosil qilamiz. 
(3) 
Shunday 
qilib ideal diodlar va qizigan electron va kovaklarni toki uchun olingan ifodalar 
orqali VAХni grafigini ko`radigan bo`lsak [6]. 
 
O`YuCh ta`siridan rekombinasiya toklari ortishini oshishini ko`rishimiz 
mumkin. 
Адабиётлар 
1.
Ҳелмут Спиелер “Introduction to radiation detectors and Electronis”, 
30 – мар – 99. IX.2.a. A semiconductor device primer – doping and diodes. 
2.
С. Зи “Физика полупроводниковвых приборов” том – 1. Стр (91 – 
100). 
3.
В.Л.Бонч-Бруевич, С.Г.Калашников «Физика полупроводников», 
Наука, М.1977.
4.
М.А. Азизов “Яримўтказгичлар физикаси” Тошкент – 1974 
стр.(208 – 210). 

---

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
274 
5.
Tetsuo Soga Nanostructured Materials for Solar Energy Conversion © 
2006 Elsevier B.V. All rights reserved. Chapter 1 Fundamentals of Solar Cell p (8-
20). 
6.
Г. Гулямов , У.И. Эркабоев , Н.Ю. Шарибаев , А.Г. Гулямов 
ЭДС, 
возникающая в 
p
−
n
-переходе при воздействии сильного СВЧ поля и света/ 
Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, вып. 3
 
ЯДЕРНЫЕ РЕАКЦИЙ И СТОЛКНОВЕНИЯ ЭЛЕМЕНТАРНЫХ