Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

 
З.А.Турсунметова
1
, С.С. Насритдинов
1
, И.Р. Бекпулатов
2
,
С.Б. Донаев
2
, Б.В. Ибрагимова
2
 
 
1
НИИ Физики полупроводников и микроэлектроники, Ташкент, Узбекистан, 
2
Ташкентский государственный технический университет, Ташкент, 
Узбекистан, 
В создании новых приборов электроники и оптики особое место 
занимает получение наноразмерных многослойных гетероструктур, 
сверхрешеток, квантовых ям на основе монокристаллов Si. Наиболее 
совершенные структуры с заданными физическими свойствами создаются в 
условиях сверхвысокого вакуума с использованием методов напыления 
МЛЭ, ТФЭ, РЭМ и ИИ [1-2]. При этом, наиболее жесткие требования 
предъявляются к чистоте поверхности подложка – кремний, условиям 
сверхвысокого вакуума (Р ≤ 10
-7
Pa). В настоящее время хорошо изучены 
состояния структуры и свойства Si(111), очищенных различными способами 
[3-4]. Для изучения состояния состава, структуры и топографии поверхности 
кремния в процессе технологических воздействий нами использованы 
методы ОЭС, ДМЭ, ДБЭ и РЭМ.
Рис. 1. Оже-спектры поверхности кремния снятые: 1- после термической очистки; 2- после 
прогрева имплантрованного ионами Ва
+
. 
Все технологические обработки и исследования состояния поверхности 
(кроме РЭМ и ДБЭ) проводились в одном и том же универсальном 
сверхвысоковакуумном 
приборе, 
снабженного 
четырехсеточным 
анализатором и анализатором типа Юза-Рожанского. Анализатор с 

---

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani