Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
243 
Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2006. 
Вып. 1-2. С.29-37. 
[5] S.M. Sze, K.Ng. Kwok. Physics of semiconductor devices. – John Wiley 
& Sons, 2007. – 815 p. 
 
 
ПРИМЕНЕНИЕ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ ДЛЯ
ПОЛУЧЕНИЯ МДП- И ПДП-СТРУКТУР НА ОСНОВЕ Si 
 
Умирзаков Б.Е., Ташмухамедова Д.А., Толипова Ш.А.,
Гулямова С.Т., Абраева С.Т., Одилов С. 
Ташкентский Государственный Технический Университет, 100095, ул. 
Университетская, 2, Ташкент, Узбекистан 
 
В настоящее время наноразмерные структуры и слои на основе Si, Ge и 
их оксидов имеют перспективы в создании приборов нано- и 
оптоэлектроники. В частности, гетероструктуры SiO
2
/Si с различными 
нановключениями служат основой при разработке новых видов 
высокочастотных 
транзисторов, 
интегральных 
схем, 
оптических 
преобразователей и солнечных элементов [1, 2]. Данная работа посвящена 
получению скрытых слоев SiO
2
в приповерхностной области Si 
бомбардировкой ионами 
и определению их состава, размеров, структуры 
и ширины запрещенной зоны. 
Рис. 1. Изменение интенсивности оже-пика О по глубине для Si, 
имплантированного ионами 
с Е
0
= 30 кэВ: 1 – до отжига, 2 – после отжига 
при Т = 900 К в течении 30 мин. 

---

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
244 
Для определения профиля распределения атомов по глубине 
проводился послойный оже-анализ путем распыления поверхности образца 
ионами Ar
+
с E
0
= 1 keV при угле падения ~ 80 – 85

относительно нормали 
со скоростью (3 

1) Å/min. Погрешность измерений при определении 
концентрации атомов составляла 5 – 8 at.%. 
Для получения скрытых слоев SiO
2
в приповерхностной области Si 
образцы Si, имплантировались ионами 
c E
0
≥ 10 кэВ. На рис. 1 приведены 
зависимости интенсивности оже-пика O (508 эВ) от глубины для Si, 
имплантированного ионами 
с Е
0
= 30 кэВ при D = D
нас.
= 10
17
см
-2
до и 
после прогрева при Т = 850 К. После прогрева I
0
в области максимума 
существенно увеличивается, а полуширина кривой I
0
(n) уменьшается и 
составляет 

8 – 10 нм. Анализ показал, что в этой области Si концентрация 
кислорода составляет 65 – 70 ат.%, т.е. образуется слой с приблизительным 
составом SiO
2
. Таким образом, формируется система типа Si – SiO
2
– Si. 
На рис. 2 приведен схематический разрез системы Si – SiO
2
– Si построенной 
на основе рис. 1. Видно, что толщина для SiO
2
составляет 

8 – 10 нм, 
толщина переходного слоя - 4 – 5 нм. Таким образом, в данном случае 
формируется система типа ПДП. 
Для получения системы типа MeSi
2
/SiO
2
/Si гетероструктуры SiO
2
/Si 
имплантировались ионами Ме (Ba, Na или Co) с Е
0
= 1 – 2 кэВ, затем 
проводился лазерный + высокотемпературный прогрев.
Рис. 2. Схематический разрез системы Si/SiO
2
/Si, полученного после 
прогрева при Т = 850 К кремния имплантированного ионами 
с Е
0
= 30 кэВ 
при D = 2

10
17
см
-2
. 
Для пленки SiO
2
толщиной 200 Å. При этом поверхностная 
концентрация Ba составляла 50 – 55 ат.%, а Si – 40 – 45 ат.%, т.е. после 

---