Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
245 
такого отжига формируется поликристаллическая пленка BaSi
2
с d = 50 – 60 
Å. В результате формируется трехслойная эпитаксиальная наносистема 
BaSi
2
/SiO
2
/Si (111). Примерная энергетическая диаграмма этой системы 
приведена на рис. 3.
Рис. 3. Энергетическая диаграмма наносистемы BaSi
2
/SiO
2
/Si. 
Видно, что между пленками BaSi
2
и SiO
2
образуется переходной слой с d = 30 
– 40 Å. d между SiO
2
/Si составляет 50 – 60 Å. Таким образом, в данном 
случае образуется система типа металл (BaSi
2
) – диэлектрик (SiO
2
) – 
полупроводник (Si). 
Список литературы 
1.
Демидов Е.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Карзанова М.В., Демидова Н.Е., 
Чигиринский Ю.И., Шушунов А.Н., Тетельбаум Д.И., Горшков О.Н., 
Европейцев Е.А.
// ФТТ. 2011, Т. 53. Вып. 12. С. 2294 – 2298. 
http://journals.ioffe.ru/articles/1645 
2.
Эргашов Ё.С., Ташмухамедова Д.А., Умирзаков Б.Е. 
// 
Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 
2017, № 4, с. 104. DOI: 10.7868/S0207352817040084 
переходные слои 
Si(111) 
E
g 
= 7,8 эВ 
SiO
2
0,5 эВ 
BaSi
2
50-60 30-40 
140-160 Å 
50-60 
1,1 эВ 

---

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
246 
ВЛИЯНИЕ РАЗЛИЧНЫХ ВОЗДЕЙСТВИЙ НА СОСТАВ И 
СТРУКТУРУ ПОВЕРХНОСТИ Si