Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Таблица 1. 
Ширина запрещенной зоны E
g
, состав x и постоянная решетки (a) 
твердых растворов CdTe
1-x
S
x
 с различным составом 
 

, мкм
E
g
, эВ 
Х 
а, Å
 
0.692 
1.791 
0.806 
6.3083 
0.700 
1.771 
0.794 
6.3012 
0.738 
1.680 
0.728 
6.2622 
0.740 
1.676 
0.726 
6.2611 
0.795 
1.560 
0.620 
6.1984 
0.796 
1.558 
0.618 
6.1972 
Известно, что слой CdTe
1-x
S
x
p-i-n получается в процессе 
изготовления и последующем отжиге за счет диффузии атомов S в 
CdTe и атомов Te в CdS [1-3]. При этом, в зависимости от 
технологических условий твердый раствор может быть как дискретным, так 
и непрерывным. В пользу дискретности говорит упомянутые выше 
результаты. 
С 
помощью 
рентгеноструктурного 
анализа 
образца, 
изготовленного при низких температурах (Т=400 К), найден всего один 
состав твердого раствора CdTe
1-x
S
x
с постоянной решетки а=5.8935 Å. Зная 
величину параметра a для CdTe, CdS, CdTe
1-x
S
x
и ширину запрещенной зоны 
(E
g
) CdTe и CdS, в данной работе проведена оценка величины E
g
для CdTe
1-
x
S
x
, согласно которой Е
g

2.306 эВ и от квадратичной зависимости Е
g
твердого раствора CdTe
1-x
S
x
от состава х, найдено значение х=0.98, 
соответствующее Е
g

2.306 эВ.
Измерение коэффициента собирания (Q)
 
исследуемой структуры 
показывает, что Q

1. Это означает, что сформировавщийся 
i
-слой может 
служить как база для солнечных элементов, в котором фотогенерированные 
носители тока легко могут диффундировать до разделяющего барьера и