Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
239 
// Semiconductor Physics, Quantum Elektronics&Optoelectronics, 
2011
.V.14, N3.-
P.308-312. 
2.
Woodcock, JM; Тернер, AK; Oszsan, ME; Саммерс, Дж. Г. 
Тонкопленочные солнечные элементы на основе электроосажденного CdTe. 
В процессе22-й конференции специалистов по фотогальванике IEEE, Лас-
Вегас, Невада, США, 7–11 октября 1
991
г .; п. 842. 
3.
Nakayama, N .; Matsumoto, H .; Накано, А .; Ikegami, S .; Uda, H .; 
Ямасита Т. Тонкая пленка {CdS} / {CdTe} солнечного элемента с 
трафаретной печатью. Jpn. J. Appl. Phys. 
1980
, 19, 703–712. 
4.
Ш.М.Мирсагатов, С.А.Музафарова, А.С.Ачилов, А.А.Мовлонов 
Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-
p
-CdTe-
Mo. Физическая инженерия поверхности 
2012
, т.10, №1, С.78-84. (01.00.00. 
№91). 
5.
S.A.Muzafarova, Sh.A.Mirsagatov, A.Yu.Leyderman, A.S.Achilov, 
M.A.Mahmudov The mechanism of carrying over of a current in nCdS-pCdTe-
heterostructures with a thickness bases~1µm. VII Международной научно-
технической конференции, «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного 
приборостроения» Москва 23-27 ноября 
2010
г. С.207-215. 
6.
K.Ohata, J. Sarate and T. Tanaka: Optical Energy Gap of the Mixed 
Crystal CdS
x
Te
1-x
Japan.J.Appl.Phys. 
1973
, Vol.12, No.10, p1641-1643. 
7.
Gilmore A.S. Kaydanov V.I., Laor U., A. Gupta A., OhnoT.R., and 
McCandless // B. NCPV Progr. Rev. Meeting. April, 
2000
, Denver, CO, p.259. 
8.
Грин, Массачусетс; Данлоп, ED; Hohl-Ebinger, J .; Йошита, М .; 
Kopidakis, N .; Хао, X. Таблицы эффективности солнечных элементов (версия 
56).Прог. Фотовольт. Res. Прил.