Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
205 
сопротивления материалов в темноте увеличивались до такой степени, что 
все кристаллы Si фактически превращались в диэлектрики. Даже с 
помощью наиболее чувствительного электрометра невозможно было снять 
ВАХ кристаллов. Поэтому ВАХ кристаллов Si снималась при наличии 
слабого интегрального освещения изменяющейся в пределах (0,3÷1,2) Люкс. 
Исследования ВАХ кристаллов 
р
-Si показали, что независимо от ρ и 
интенсивности освещения вплоть до некоторого значения критического 
напряжения U
кр
. ВАХ описываются выражением I=U
n
. При этом величина n 
немонотонно зависела от ρ кристаллов. В случае освещения кристаллов с 
интенсивностью 0,6 Люкс величина n увеличивалась в пределах 
n
=2÷3 по 
мере увеличения ρ от 10
3 
Ом·см до 2·10
4 
Ом·см. Дальнейшее увеличение ρ 
кристаллов приводило к снижению n до величины 2,1 для кристаллов с ρ=10
5 
Ом·см. Следует отметить, что даже при низких полях ВАХ кристаллов 
описывалась степенной функцией. В них начальный омический участок не 
наблюдался. 
Нами также исследовались ВАХ кристалла с ρ=10
4
Ом·см при 
различных интенсивностях интегрального освещения. Как показали 
результаты исследований по мере повышения интенсивности освещения в 
пределах (0,3÷1,2) Люкс величина n монотонно снижалась в пределах (4÷2,3).
Анализируя полученные экспериментальные результаты можно 
отметить, что степенная зависимость ВАХ кристаллов р-Si не связана с 
монополярной или биполярной инжекцией неравновесных носителей тока, а 
скорее всего связана с изменением величин потенциального рельефа под 
действием внешнего поля.
Литературы 
Askarov Sh.I., Sharipov B.Z., Saliyeva Sh.K., Shukurova D.M., 
A.Mavlyanov. Spektra of energy levels of nano-scale “quasimolecules” of sulfur in 
silicon//Journal (skops) “Microelectronics International” Volume 2 Issue 2, 2020, 
25-30
.