Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
203 
определенного критического значения. Ниже мы рассмотрим при каких 
значениях энергии падающих квантов возможно осуществить гашение ОП. 
Проведенные тщательные исследования спектров ИК гашения ОП 
показали, что слабое гашение ОП имеет место при hν=0,42эВ. А при 
освещении кристаллов p-Si в состоянии ОП ИК светом из области 
спектра 0,5-0,62 эВ глубина ИК гашения ОП значительно увеличивается. Это 
особенно четко проявляется при исследовании кинетики релаксации 
фототока под действием дополнительной ИК подсветки. В отличии от 
обычной релаксации ФП, при наличии дополнительной ИК подсветки, 
релаксация фототока имела ярко выраженные два участка спада. С ростом 
энергии падающих квантов второй участок спада фототока смещался в 
сторону малых времен. Следует отметить, что наличие двух участков спада 
фототока при наличии ИК подсветки характерно лишь образцам Si. 
Действительно, ранее при исследовании кинетики релаксации ФП при 
наличии ИК подсветки в образцах p-Si<Мn> обнаруживался лишь один 
участок спада ФП. И в них с ростом энергии квантов глубина гашения ФП 
резко усиливалась. А в кристаллах p-Si резкое снижение ФП 
соответствовало именно на второй участок спада фототока. 
Кроме ИК подсветки ослабить ОП можно путем повышения величины 
электрического поля до определенного критического значения E
кp
≥2·10
3
В/см.
Анализируя полученные экспериментальные результаты делается вывод, 
о том что ответственным за возникновения ОП в кристаллах p-Si 
являются центры «квазимолекул» серы, состоящих из четырех атомов серы, 
расположенных в соседних узлах кристаллической решетки. Такие центры 
являются многозарядными центрами с зарядом до +8е. Потенциал таких 
центров высокоомных кристаллах p-Si становится дальнодействующим, 
способный модулировать как в зону проводимости, так и в валентную зону, 
материал можно рассматривать как неоднородный с соответствующим 
потенциальным рельефом. Особенности кинетики релаксация фототока и 
наличии ОП объясняется в рамках модели неоднородного полупроводника.