Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

 

---

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
67 
ИННОВАЦИОННЫЙ ПОДХОД К ОПРЕДЕЛЕНИЮ
ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ
ФОТОЭЛЕМЕНТОВ 
 
Э.Б.Саитов., Ш.Ш.Тохиржанов., Ф.Отаклов.,
Ш.Б.Бекчанов., Ю.К.Хамидов 
Ташкентский государственный технический университет, ул. 
Узбекистана, 2, Ташкент, Узбекистан, 100096 
E-mail: 
[e-mail] 
 
Использование кремниевых фотоэлементов имеет большое значение 
для преобразования существующей солнечной энергии в электричество. Для 
преобразования солнечной энергии в электрическую, образование 
электродвижущей силы (ЭДС) под действием света составляет 0,4-0,5 эВ. 
Можно создать солнечную панель, подключив фотоэлементы параллельно 
или последовательно, и мы можем сделать такие кремниевые фотоэлементы с 
максимальным к.п.д. 20% и их мощностью до нескольких кВт. Солнечные 
элементы из кремниевых фотоэлементов являются основным источником 
электроэнергии для спутников Земли, автоматических метеостанций и т. д. 
[1]. 
Мы знаем, что в полупроводниковом материале электроны должны 
получить дополнительную энергию для образования тока, поскольку они 
занимают новые допустимые уровни энергетической зоны. Электроны в 
зонах проводимости или валентной не могут перемещаться через 
запрещенную зону в зону проводимости, пока не получат достаточно 
энергии. Электроны полупроводников, таких как кремний или германий, 
должны будут получить 1 эВ энергии, чтобы пройти в запрещенную зону. 
Процесс работы полупроводниковых фотоэлектрических генераторов 
(солнечных элементов) выглядит следующим образом: поглощая фотоны 
солнечного излучения, электроны получают дополнительную энергию и 
начинают переходить в зону проводимости. 
Энергия каждого электрона увеличивается пропорционально величине 
ширины запрещенной зоны. Обычно электрон находится в этом состоянии 
очень короткий промежуток времени. Затем он рекомбинирует с ионом, и 
выделяемая 
им 
энергия 
усиливается 
или 
повторно 
излучается 
кристаллической решеткой. Известно, что увеличение колебаний ионов 
решетки приводит к повышению температуры в твердых телах. В 
фотоэлектрическом генераторе электроны, возбужденные светом, проходят 
через полупроводниковый материал и передают свою избыточную энергию 
полезной нагрузке, не тратя ее на другие взаимодействия [2]. 
Предотвращая преобразование солнечной энергии в тепло, мы 
надеемся освободиться от определенных термодинамических ограничений, 

---