Электроника

ВВЕДЕНИЕ
Электроника – отрасль науки и техники, изучающая: физические явления в полупроводниковых приборах; электрические характеристики и параметры полупроводниковых приборов; свойства устройств и систем, основанных на применении полупроводниковых приборов.
Электропроводность полупроводников
Электропроводность – способность проводить электрический ток, обусловлена наличием свободных носителей заряда, электронов или дырок, в веществе. Под воздействием внешнего напряжения электроны вырываются из кристаллической решетки и становятся свободными, освободившееся место кристаллической решетки получило название дырки. Дырка имеет положительный заряд по модулю равный заряду электрона.
Для изготовления полупроводниковых приборов применяют как простые полупроводниковые вещества (элементы IV группы) - германий Ge, кремний Si, селен Se, так и сложные полупроводниковые материалы: арсенид галлия GaAs, фосфид галлия GaP и другие.
В чистых полупроводниках концентрация носителей заряда – свободных электронов и дырок мала. Поэтому для придания полупроводнику определенного типа электропроводности в него вносят определенные примеси. Этот процесс называется легированием.
Полупроводник p-типа
Основным носителем заряда являются дырки.
Примесные вещества III группы (Al, Ga) - акцепторы создают дырочную проводимость.
Полупроводник n-типа
Основным носителем заряда является электрон.
Примесные вещества V группы (Ванадий V, Ниобий Nb) - доноры создают электронную электропроводность.
Электронно-дырочным или p-n-переходом называют область на границе двух полупроводников, один из которых имеет электронную, а другой - дырочную электропроводность.
Образование p-n-перехода

	При соприкосновении двух полупроводников в приграничном слое происходит воссоединение дырок и электронов. Образуется слой, лишенный свободных носителей (толщиной l), он обладает высоким сопротивлением и называется запирающим слоем. Контактная разность потенциалов Езап.
	Запирающий слой препятствует движению основных носителей заряда и не препятствует движению неосновных носителей заряда (Iдр). Дрейфовый ток Iдр при движении через p-n-переход снижает контактную разность потенциалов (Езап). Это позволяет некоторой части основных носителей преодолеть потенциальный барьер, появляется диффузионный ток Iдиф. Он направлен навстречу дрейфовому. Iдиф = Iдр