Электроника

Влияние постоянного внешнего напряжения на свойства p-n-перехода
Е_внеш↑↑Е_зап, то l↑, R↑, I_обр ↓, U_обр↑ - переход закрыт.

В этом случае происходит расширение запирающего слоя, и ,как следствие, возрастает сопротивление p-n-перехода. Дрейфовый ток невелик, т.к. это ток неосновных носителей заряда, а их в веществе малое количество. Диффузионный ток равен 0, т.к. основные носители заряда не могут перейти через закрытый p-n-переход. Дрейфовый ток в этом случае называется обратным током, а приложенное внешнее напряжение – обратным напряжением. Обратное напряжение может быть U_обр от 100 до 1000В.
Е_внеш ↑↓ Е_зап, то l↓, R ↓ и p-n - переход называется открытым.

В этом случае запирающий слой сужается, падает сопротивление p-n-перехода, и при определенном внешнем напряжении (0,3-0,7 В германий; 0,8-1,2 В кремний) p-n-переход открывается. При открытии p-n-перехода возрастает дифференциальный ток. Ток через p-n-переход называется прямым током, а приложенное внешнее напряжение – прямым напряжением.

Вольт-амперная характеристика p-n перехода

Основными характеристиками p-n-перехода являются

1. 
   дифференциальное сопротивление –отношение приращения напряжения к приращению тока
   
2. 
   Электроемкость p-n-перехода.
   

Закрытый p-n-переход представляет собой «конденсатор», электроемкость которого называется барьерной, барьерная емкость есть и при прямом внешнем напряжении, но ее влияние на работу p-n-перехода незначительно.
Элементная база современных электронных устройств


Полупроводниковые резисторы
Полупроводниковым резистором называют полупроводниковый прибор с двумя выводами, в котором используется зависимость электрического сопротивления полупроводника от напряжения, температуры, освещенности и других управляющих параметров.

•