Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

DOI: 
10.1134/S106378261306016X.
 
 

---

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
60 
СВОЙСТВА ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ 
ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ С ОПТИЧЕСКИМ
GaP ОКНОМ 
 
М.А.Абдукадыров, Н.А.Ахмедова,
А.С.Ганиев, И.О.Джуманиязов 
Ташкентский университет информационных технологий, г.Ташкент, 
Узбекистан 
В данной работе приведены результаты исследований свойств 
высоковольтных фотопребразователей (ВФП) на основе GaAs/AlGaAs 
гетероструктур с оптическим окном на основе высокоомного GaP. Общая 
площадь образца ВФП с учетом разделительных канавок не превышает 
1,7см
2
, площадь одного образца микрофотопреобразователя (МФП) 
составляет 0,25см
2
. При освещении GaAs p-n перехода через GaP 
спектральные характеристики ВФП имеют следующие особенности. Для 
всех исследованных структур длинноволновый край поглощения фотонов 
определяется фундаментальными свойствами базовой области на основе 
GaAs, а коротковолновый фронт фотоответа - свойствами GaP. При этом, 
наименьшие 
оптические 
потери 
происходят 
в 
структурах 
с 
нелегированным оптическим окном. Анализ спектральных характеристик 
образцов показал, что при использовании компенсированных железом GaP 
оптические потери возрастают за счет увеличения интенсивности роста 
поглощения квантов в легированных кристаллах. Примечательно, что в 
подобных структурах наблюдаются относительно ровные спектры в 
основной полосе поглощения. При варьировании толщины GaP в 
интервале 100...400 мкм изменение фоточувствительности (ФЧ) в полосе 
поглощения составляет 10...15% для структур с нелегированным GaP и 
20...25% для ВФП с компенсированным GaP, что свидетельствуют об 
ослаблении относительных потерь с уменьшением толщины GaP. 
Темновые ВАХ исследованных структур описываются выражением 
[1] 
(1) 
где m-количество МВП в ВФП. Величина диодного коэффициента А, 
определяемая из ВАХ близка к А = 1,5, что свидетельствует о 
генерационно-рекомбинационном механизме токопрохождения. 
При освещении солнечным светом (АМ0) ВФП имеют световые 
ВАХ, где средняя величина напряжении холостого хода U
хх 
для каждого 
МФП близка к 0,92В при плотности тока короткого замыкания 18-20 
мА/см
2
. Суммарное значение U
хх
в каждом МФП равно 5,4...5,5 В, а 
коэффициент полезного действия (КПД) 12...15 %. Как известно, одной из 

---