Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
59 
рекомбинируются и нейтрализуют те дефектные состояния, которые 
являются рекомбинационными центрами для фотогенерированных дырок 
(Δр) в n слое Zn
x
Cd
1-x
S, что должно привести к росту τ Δp. Однако 
дальнейшее увеличение R
load
> 50 кОм, приводит к замедлению роста τ Δр, 
что может быть связано с ограничением роста величины темнового 
инжекционного тока [9] в результате чего дефектные состояния перестают
перезаряжаться и изменение τ Δр замедляется.
 
Литература 
1.
S.M.Sze & Kwok K.Ng. Physics of Semiconductor Devices
.
John 
Willey and Sons, Inc., Hoboken, New Jersey, 2007, p.763
. 
2.
R.R. Kobulov, M.A. Makhmudov, S.Y. Gerasimenko, O.K. Ataboev. 
Investigation of composition and current transport mechanism in polycrystalline 
thin film ultra violet Au-Zn
х
Cd
1-х
S-Mo- structure with narrow spectrum of 
photosensitivity. Apply Solar Energy. 2017. №2. V. 53. pp. 123-125.
 
3. R. R. Kobulov, M. A. Makhmudov, S. Yu. Gerasimenko, O. K. Ataboev
. 
Morphology and Current Transport in a Thin-Film Polycrystalline Au–Zn
x
Cd
1 – 
x 
S–Mo Structure with Wide Photosensitivity Range in the Ultraviolet and Visible 
Radiation Spectral Region // Applied Solar Energy. – 2018. - vol. 54, No. 4. - 
pp.251–254. https://link.springer.com/article/10.3103/S0003701X18040084 
4. 
Kobulov 
R.R., 
Makhmudov 
M.A., 
Gerasimenko 
S.A. 
//Appl.Sol.En.,2017, v.53, №1, pp.10-12.
 
DOI 10.3103/ S0003701X1701008X.
5. Ohata R., Saraie I., Tanaka J. Jap. J. Appl. Phys. 1973. V. 12. p. 1198.
6. Берченко Н.Н., Кревс В.Е., Средин В.Г. Полупроводниковые твердые 
растворы и их применение A
II
B
VI
. Справочные таблицы/Под. Ред. В.Г. 
Средина, (Москва, 1982). 
7. Кобулов Р.Р. Влияние материала буферного слоя на спектр 
фоточувствительности гетероструктур на основе полупроводникового слоя 
теллурида кадмия.// Физика полупроводников и микроэлектроника, 2019, 
№3, 56-62. 
8. A.Yu. Leiderman, M.M. Kashaev. “Lifetime specifics of nonequilibrum 
carriers in photoelectric cells based on gallium arsenide obtained via the 
Czochralski method”. 
Applied Solar Energy
, vol. 49, No. 4, pp. 244-247, 2013. 
9. Sh. A. Mirsagatov, R. R. Kabulov, and M. A. Makhmudov. Injection 
Photodiode Based on an 
n-
CdS/
p-
CdTe Heterostructure. Semiconductors// 2013, 
Vol. 47, No. 6, pp. 825–830.