Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Рис.2. Схема тиристорное реле напряжения
При испытание данное бесконтактное реле напряжения использованы в 
качестве тиристоров 
T
2
, 
T
6
, 
T
7
соответственно тиристоры типа КУ202Е, 
КУ202И, КУ201Г, в качестве диодов – Д226Б, в качестве активных 
сопротивлении 
R
3
, 
R
4
, 
R
9
, 
R
11
соответственно 5,6 кОм, 150 Ом, 390 Ом, 2,4 
кОм, в качестве емкости 
C
5
конденсатор с емкостью 200 мкФ, в качестве 
трансформатора использован однофазный трансформатор 220/20 Вольт. 
Экспериментальные исследования показали, что нагрузка 
R
3
включалась в 
сеть при напряжении 175 В. 
Таким образом приведенная схема бесконтактного реле напряжения 
позволяет получить на нагрузке напряжение с синусоидальной формой и 
достичь коэффициента возврата реле близкой к единице. 
 
 
 
R
3
T
2
R
1
1
D
10
T
7
D
10
220 В
20 В
R
9
T
6
R
4
C
5

---

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
377 
ВОЗМОЖНОСТИ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ КРЕМНИЯ КАК 
СЕНСОРОВ ТЕМПЕРАТУРЫ 
 
Валиев С.А., Аюпов К.С.
1
Ташкентский государственный технический университет
им. И. Каримова, 100095, Ташкент, Узбекистан. 
e-mail: 
[e-mail] 
Аннотация 
В 
работе 
отражена 
возможность 
использования
 
сильнокомпенсированного 
кремния, 
который 
является 
уникальным 
материалом для создания чувствительных сенсоров, терморезисторов и 
термодатчиков, изготовленных на основе различных примесных атомов, 
представляющих большой практический интерес, так как такие материалы 
имеют большие перспективы использования в измерительной технике. 
Проблема измерения температуры с каждым годом становится 
особенно актуальной как в промышленном производстве, сельском 
хозяйстве, хранении и переработке сельскохозяйственной продукции, так и в 
медицине. Исходя из области применения датчика в указанных выше сферах 
определяется прежде всего эффективностью, удобством использования и 
себестоимостью быстродействий и точность измерения. В этом плане, 
термодатчики на основе полупроводниковых материалах и структурах можно 
получит очень высокие результаты [1-5]. Главное преимущество таких 
термодатчиков является долговечность со стабильными их параметрами, 
удобств эксплуатации и малой энергии потреблении.
При промышленном применении термодатчиков, определяющим 
фактором является погрешность, которая при регулировании процессов 
должна не превышать от 0,2 до 0,8 процентов, в целях контроля 
технологического процесса от 0,5 до трех процентов.
В отличие от металлических и пленочных терморезисторов 
(термодатчиков) 
полупроводниковые 
термодатчики 
обладают 
ряд 
существенных преимуществ это прежде всего удобство эксплуатации с 
наименьшим потреблением энергии использование их в различных 
электронных системах, высокой чувствительности и больше срок службы. 
Однако в современных электронных аппаратурах используемых, в которых 
используется в медицине, робототехнике, информационной технологических 
системах, 
требуется 
не 
только 
с 
высокой 
чувствительностью 
быстродействием, но а также стабильностью их параметров в различных 
экстремальных условиях (радиации, газовой среды, а также при наличии 
вибрации). В этом плане существующих термодатчиков на основе 
полупроводниковых структур, не всегда отвечают выше изложенным 
требованиям. В этом плане сильнокомпенсированный кремний, удельное 

---