Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
294 
3.22-расм 
 
3.23-расм. Si2Cu2O кластери молекуляр орбиталини электрон зичлиги 
харитаси 
 
Тебранма спектр ва молекуляр орбиталларни (МО) ҳисоблаш учун 
ZINDO-1 яримэмпирик усулидан фойдаланилди. 3.220-расмда Si2Cu2O 
ячейкали структурани инфрақизил (ИҚ) тебранма ҳаракати спектри 
таҳлили 
келтирилган. 
Электронлар 
ҳолатларини 
моделлаштириш 
ўтказилган, шунингдек Si2Cu2O кластери молекуляр орбиталини 
электрон зичлиги ҳаритаси қурилган (3.23-расм). Ҳарита юқори 
эгалланган HOMO = - 3 ,948 эВ ва қуйи эгалланмаган LUMO = 3,959 эВ 
орбиталлар кўрсатилган контур юзалар шаклида тасвирланган. Бу 

---

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
295 
орбиталлар фарқи 
E
g
= 0,003eV га тенг. Бу ютилиш спектрларининг пайдо 
бўлиши киришмали сатҳдан ўтказувчанлик сатҳига ўтишини билдиради деб 
тахмин қилишиш мумкин . Бу қиймат юқорида электрон спектри олинган 
қийматларга айнан мос келади. 
ХУЛОСА
Si2Cu2O ячейкасига эга бўлган структура параметрларини сонли ҳисоблаш 
натижасида қуйидаги хулосалар қилинди: 
Si2Cu2O ячейкали Si панжарасининг электрон спектрлари ўрганилган 
ва 3 та спектр кузатилган: 848.84 нм, 1438.41нм, 4097.9 нм. Бу тўлқин 
узунликларига мос келувчи электрон ўтишларнинг энергияси мос равишда 
0.02 эВ, 0.009 эВ ва 0.003 эВ ларга тўғри келиши аниқланган; 
Электрон ўтишлар энергиялари қийматларининг жуда кичиклиги 
асосида кремнийдаги кислород ва мис киришмалари ўзаро кимёвий 
боғланган электронейтрал ҳолатда эканилиги аниқланган; 
Si2Cu2O ячейкали кластерда электронлар ҳолатининг тебраниш 
спектрини сонли ҳисоблаш натижасида аниқланган оралиқ қиймати 
Eg 
= 
0,003 эВ га тенг эканлиги аниқланган. 
Si2Cu2O кластери молекуляр орбиталини электрон зичлиги ҳаритаси 
қурилган. Унга кўра кремнийда ковалент боғланиш билан бир қаторда ионли 
боғланиш мавжудлиги кузатилган 
ADABIYOTLAR 
1.
E.U.Arziqulov, S.N. Srajev., O.S.Ne‘matov, Yo‘ldashev J. Kremniyda 
kislorodli komplekslarning hosil bo‘lishi // SamDU ilmiy axborotnomasi, 
2017 1-son (101) 183-187 b.
2.
Фистуль В.И. Атомы легирующих примесей в полупроводниках 
//Фистуль В.И.-М. : Изд-во физ-мат.лит-ры, 2004.-432 с. 
3.
Емцев В.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках //Емцев 
В.В., Машовец Г.В.-М.:Радио и связь,1981.-248 c. 
4.
Газов В.М. Физико-химические основы легирования полупроводников 
//Глазов В.М., Земсков В.С.-М. :Наука,1967.-371 с. 
5.
Фистуль В.И.Физика и химия твердого тела. Т2//Фистуль В.И.-
М.:Металлургия,1995.-320 с. 
6.
Ормонт Б.Ф.Введение в физическую химию и кристаллохимию 
полупроводников// Ормонт Б.Ф.-М.:Высщая школа,1982.-528 с. 
7.
Dash W.C. Copper presipitation on dislocation in silicon. //J.Appl. Phys. 
1956, v.27, №10, p. 1193-1195.
8.
Полинг Л. Химия//Полинг Л.,Полинг П.-М.:Мир,1978.-683 с. 
9.
CRC Handbook of Chemistry and Physics. Editor David R. Lide, CRC 
Press, 2004,2660 pp. 

---