Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

 
Список литературы 
1. Askarov Sh.I., Sharipov B.Z., Saliyeva Sh.K., Shukurova D.M., 
A.Mavlyanov. Spektra of energy levels of nano-scale “quasimolecules” of sulfur in 
silicon//Journal (skops) “Microelectronics International” Volume 2 Issue 2, 2020, 
25-30. 
 
 

---

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
204 
ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЕ НАНОРАЗМЕРНЫХ 
КВАЗИМОЛЕКУЛ» СЕРЫ НА ВОЛЬТАМПЕРНУЮ 
ХАРАКТЕРИСТИКУ КРЕМНИЯ 
 
Ш.И.Аскаров, Б.В.Ибрагимова, А.А. Мавлонов.
 
Ташкентский государственный Технический университет, Узбекистан. 
Ташкент. 
Известно, что в процессе диффузионного легирования кремния с серой в 
объеме кристалла образуются различные «квазимолекулы» серы, состоящие 
из двух, четырех и более атомов серы расположенных соседних узлах 
кристаллической решетки. При этом «квазимолекулы» серы состоящие из 
двух и четырех атомов серы, являясь многозарядными центрами, вносят в
запрещенную зону кремния ряд очерствляющих энергетических уровней с 
анизотропными сечениями захвата для неравновесных носителей тока. 
Именно наличие таких центров, как указано в работе [1], являются 
ответственными за наблюдаемое трех участков ИК гошения ФП в кристаллах 
Si. Поскольку в высокоомных кристаллах Si потенциал таких центров 
становится дальнодействующим, способствующим тем самым к модуляции 
зон. Одним словом высокоомные кристаллы Si можно рассматривать как 
неоднородный материал с соответствующим потенциальным рельефом зон, 
зависящей от зарядового состояния «квазимолекул». В связи с этим 
исследование ВАХ таких кристаллов представляют особый интерес с точки 
зрения выяснения влияния внешнего электрического поля на величины 
потенциального 
рельефа. 
Учитывая, 
что 
все 
вышеописанные 
фотоэлектрические явления обнаруживаются в основном в кристаллах Si 
p
– типа исследованию ВАХ подверглись именно эти кристаллы. 
Диффузия серы в кремнии осуществлялась в запаянных кварцевых 
ампулах, предварительно откачанных до 10
-4 
мм рт.ст. В ампулу помещались 
кристаллы кремния размерами 8×3×1 мм
3
и навески серы особой чистоты. 
При этом масса навесок серы определялась на основе решения уравнения 
Менделеева – Клапейрона с учетом температуры легирования и объема 
ампул. Диффузионный отжиг производился в горизонтальной печи в 
интервале температур 1050-1250 °C при давлении поров диффузанта 1 атм. 
Длительность отжига определялась с учетом коэффициента диффузии серы и 
толщины кристаллов таким образом, чтобы получить кристаллы Si 
однородно легированные по всей толщине материала. После легирования 
были получены кристаллы Si 
p
– типа с удельными сопротивлениями (ρ) 
в пределах 10
3
÷10
5 
Ом·см. 
Исследование ВАХ кристаллов при комнатной температуре показали, 
что независимо от ρ кристаллов все они описывались законом Ома. При 
снижении температуры кристаллов до температуры жидкого азота (77 К) 

---