Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
195 
Fotodetektorlarda geteroo’tishlarni ishlatish va ularni amalga oshirish 
bo'yicha yangi g'oyalar va takliflarning aksariyati asosan 
AlGaAs
sistemasidagi 
geterostrukturalarga bog'liq. 
Foydanilgan adabiyotlar 
1.
Корольков В.И. Photodetectoros based on heterostrutures. Semiconductor 
optoelektroniks /Ed. M.A.Herman. 
2.
Корольков В.И., Никитин В.Г., Третяков Д.Н. Туннельное прохождение 
фотоносителей в гетеропереходах p-GaAs-n-Al
x
Ga
1-x
As.-ФТП,1984,т.8, 
№12,с 2355-2358 
3.
Андреев В.М., Головинер Т.М., Каган М.В. и др. Исследование 
фотоэлектрических 
характеристик 
высокоэффективных 
солнечных 
преобразователей в системе Al
x
Ga
1-x
As.-ФТП ,1983 т.№ 12,с 2289-2296. 
ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ НА ТЕНЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ 
СВОЙСТВА КРЕМНИЯ С НАНОКЛАСТЕРАМИ
АТОМОВ МАРГАНЦА 
 
С.А. Турсынбаев 
Нукусский государственный педагогический институт 
 
 
E-mail: [e-mail] 
Чувствительность современных тензодатчиков в основном определяется 
изменением ширины запрещенной зоны полупроводников и энергией 
ионизации примесных атомов, из-за этого тензочувствительность таких 
датчиков в области низких давлений достаточно низкая и сильно зависит от 
температуры [1-3]. Представляет интерес исследование особенности 
тензосвойств кремния, содержащего нанокластеры примесных атомов 
марганца при различных температурах.
Образцы с нанокластерами атомов марганца были получены 
легированием кремния марганцем по технологии [4,5]. При этом в качестве 
исходного материала был использован монокристаллический кремний 
p
- 
типа ρ = 3 Ом·см с концентрацией кислорода 
N
= (5…7)·10
17
см
-3
и 
плотностью дислокации 
S
~ 10
3
см
-2
. Температура и время диффузии 
марганца выбрались таким образом, чтобы получить компенсированный 
кремний 
p
-типа с ρ = (5…7)·10
3
Ом·см размером 0,5х4х8 мм
3
. Именно в 
таком материале более четко проявляется влияние нанокластеров на 
электрофизические свойства кремния. После диффузии, механической и 
химической обработки, электрические параметры образцов исследовались 
методам эффекта Холла (
табл. 1
).

---