Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni

“Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”. Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr.
 
295 
Рис.1. Прямая ветвь вольтамперной характеристики затвора в полулогарифмическом 
масштабе 
Расчет вольтамперной характеристики в предположении генерацион-ного механизма 
свойственного р-n-переходам на основе полупроводников типа кремния и арсенида галлия 
осуществляется с помощью формулы приведенной в работе. 
обр
D
кан
n
p
i
ген
U
U
N
q
S
n
I











2
0


, 
(2) 
де 
i
n
-собственная концентрация носителей; 
n
p
S

-площадь р-n-перехода затвора; 

-
время жизни неосновных носителей р-n-перехода.
Исследования вольтамперных характеристик перехода затвор-исток показывают, что они 
отличаются в прямом направлении малыми токами продолжающихся до 0.55 В и затем 
сравнительно резко переходящих на рост тока. В обратном направлении участок роста тока 
расположен в узком диапазоне до 1.0 В и далее выходит на насыщение с малыми токами 
порядка 2 нА. Это обстоятельство создает условия для работы в режиме прямого смещения.
В измеренном интервале температур от -90 до +60 градусов Цельсия имеем падение 
напряжения от 0.85 В до 0.51 В для разности температур 150 градусов, соответственно 
температурный коэффициент напряжения состав-ляет 0.0023 В, то есть 2.3 мВ/град, что в два и 
более раза больше чем в диодных структурах.
Литературы 
1. Аксененко 
М.Д. и др. Микроэлектронные фотоприемные устройства. М.: 
Энергоатомиздат, 1984. - с.209. 
2. A.V. Karimov, D.R. Dzhuraev, Sh.M. Kuliev, and A.A. Turaev. Distinctive features of the 
temperature sensitivity of a transistor structure in a bipolar mode of measurement. Journal of 
Engineering Physics and Thermophysics, Vol. 89, No. 2, March, 2016. P.514-517. 
3. A.V.Karimov, D.R.Djurayev, A.A.Turaev. Physical-technological aspects of a multifunctional 
sensor based on a field-effect transistor. World Journal of Engineering Research and Technology, 
2017, Vol. 3, Issue 2, 57-63.
4. Вартанян С.П. Оптоэлектронные приборы и устройства в полиграфии. Московский 
государственный университет печати. 2000, с.187. (74-96) 
5. Лыков А.И., Синицын В.С., Савельев А.А. Радиационное управление свойствами 
первичных преобразователей температуры // Труды Одесского политехнического 
университета. 2004. Вып. 1. с.1-2. 
6. R.J.M. Vullers, R. van Schaijk, I. Doms, C. Van Hoof, R. Mertens // Micropower energy 
harvesting. Solid-State Electronics, V.53, 2009, pp.684–693. 
7. Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Каманов Б.М., Тураев А.А. Фотовольтаический 
эффект в диодном режиме включения полевого транзистора // Гелиотехника. 2015, №4, С.87-
90.