Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni

“Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”. Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr.
 
336 
ИЗУЧЕНИЕ ВОЗМОЖНОСТИ УПРАВЛЕНИЯ ШИРИНОЙ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ 
ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК СИЛИЦИДОВ 
 
Д.А. Ташмухамедова, Ё.С. Эргашов, Э. Раббимов, Д.М. Мурадкабилов, Х.Г. Райимжонов, Б.Е. 
Умирзаков 
Ташкентский государственный технический университет 
Наноразмерные пленки и слои силицидов металлов используют при разработке 
различных видов СВЧ-транзисторов, диодов, интегральных схем, запоминающих устройств, 
фотоэлектрических преобразователей (ФЭП), в том числе солнечных элементов. Несмотря на 
то что в области современной электронной техники, в частности при изготовлении 
фотопреобразователей, практически достигнуты предельные значения параметров, применение 
новых технологий, например, формирование текстурированных слоев на поверхности 
кремниевых солнечных элементов, позволит резко уменьшить отражение света от поверхности 
и увеличить их коэффициент полезного действия [1, 2]. В последние годы стало известно, что 
тонкие пленки BaSi
2
/Si имеют перспективы в создании новых дешевых и эффективных ФЭП с 
высоким КПД.
Нами в работах [3 – 5] методом ионной имплантации в сочетании с отжигом в 
поверхностной области монокристаллов Si получены эпитаксиальные нанопленки (НП) и 
нанокристаллы (НК) МеSi
2 
(Ме – Ва, Na, Co) и изучены их состав и электронная структура. В 
частности, показано, что ширина запрещенной зоны E
g 
нанокристаллических фаз ВаSi
2
с 
поверхностными размерами менее 25

30 нм составляет 0,7

0,8 эВ, а E
g
нанопленок ВаSi
2
~ 0,5 
эВ. 
Особый интерес представляет получение и изучение свойств наноразмерных структур на 
поверхности и приповерхностной области полупроводниковых материалов. В случае 
получения ФЭП в особенности солнечных элементов, гетероструктуры типа BaSi
2
/Si являются 
более перспективными. Однако системы типа Si/BaSi
2
/Si и BaSi
2
/Si/BaSi
2
/Si методом ионной 
имплантации до настоящего времени не получены. 
Поэтому данная работа посвящена получению нанопленок BaSi
2
с толщиной ~ 100 Å и 
тонких слоев BaSi
2
на различных глубинах приповерхностной области Si (111). 
Для получения пленок BaSi
2
с d = 100 Å имплантация проводилась последовательно с E
0
= 5, 3 и 1 кэВ. На рис. 1 приведен профиль распределения Ва по глубине, измеренные до и после 
прогрева при Т = 1100 К в течении 2 часов.
Рис.1. Профили распределения атомов Ва по глубине, для Si имплантированного ионами Ва
+
с 
энергией 5, 3 и 1 кэВ. D = 2

10
17
см
-2
. 1 – до прогрева; 2 – после прогрева при Т = 1100 К в 
течении 2 часов. 

---