Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni

“Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”. Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr.
 
332 
Рис.1. Электронно-микроскопическое изображения (а) и картины ДБЭ (вставка на 
каждом рисунке) поверхности Si(111), легированного ионами О
2
+
с Е
0
=1,0 кэВ при дозах D, 
см
-2
: а- 0 (нелегир. Si); б- 6·10
15
. 
Увеличение дозы ионов О
2
+
до D≈8 10
16 
см
-2 
приводит к полному перекрытию кластеров и 
в приповерхностной области формируется аморфный слой SiO
2
. Последнее подтверждается 
установлением на электронограмме вместо серии колец одного диффузного кольца - аморфное 
«гало». В этом направлений работа продолжается. 
Литература 
1. A.L. Stepanov, A.A., Trifonov, Y.N. Osin, V.F. Valeev, V.I. Nuzhdin // Optoelectr. Adv. 
Mat.- Rapid Comm. (2013) V.7, № 9-10, P. 692-697. 
2. D.N. Leong, M.A. Harry, K.J. Reeson, and K.P. Homewood // Appl. Phys. Letters 68 (1996) 
1649. 
3. Д.М. Мурадкабилов, Д.А. Ташмухамедова, Б.Е. Умирзаков // Поверхность.
 
Рентген., 
синхротрон. и нейтрон. исследования. 2013. №10.С.58-62. 
[Muradkabilov D.M., Tashmukhamedova D.A., Umirzakov, B.E. // Journal of Surface 
Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. Vol. 7, Issue 5, September 2013, Pages 
967-971]. 
НОИДЕАЛЛИК КОЭФФИЦИЕНТИНИ ҚУЁШ ЭЛЕМЕНТЛАРИНИНГ 
ФОТОГАЛЬВАНИК ХАРАКТЕРИСТИКАЛАРИГА ТАЪСИРИ
 
Икрамов Р. Ғ., Ражапов И.Т., Исманова О.Т., Алиназарова М.А., Абдужаббарова М.С. 
Гидрогенизацияланган аморф кремний (а-Si:H) асосидаги қуёш элементларининг (ҚЭ) 
асосий xусусиятлари сифатида: уларни катта юзаларда тайёрлаш мумкинлиги ва бу 
материалнинг ишчи қатламининг монокристалл яримўтказгичларникига нисбатан оптик 
ютилиш коэффициенти ва фотосезгирлигининг катта эканлигини кўрсатиш мумкин. Бу 
хусусиятлар а-Si:H структарасининг тартибсизлиги ва унда водороднинг мавжудлиги билан 
белгиланади [1, 353 б.]. Бу борада мақсадли илмий тадқиқотларни амалга ошириш, жумладан, 
гидрогенизацияланган 
аморф 
кремний 
асосли 
ҚЭ 
ларини 
фотогальваник 
характеристикаларини назарий жиҳатдан тадқиқ қилиш яримўтказгичлар физикасининг 
долзарб муаммоларидан бири ҳисобланади. 
Адабиётларда ҚЭ ларининг сальт ишлаш кучланиши (U
си
), қисқа туташув токи зичлиги 
(j
қт
) ва фотоВАХ нинг ноидеаллик коэффициент (n’) ларининг бир-бирига боғлиқ бўлмаслиги 
ва шунинг учун уларни бир-бирига боғланишларини алоҳида ўрганиш мумкин эканлиги 
кўрсатилган [2, 162 б.].
Шунинг учун бу ишда ҚЭ ларининг эффектив ток зичлиги (j
эф
) ва эффектив қувватлар 
(P
эф
) ни ҳароратга боғланиши учун келтириб чиқарилган янги ифодалар асосида, бу 

---