Fizika-texnika” fakulteti “fizika” kafedrasi 20. 10-guruh “Fizika” yo’nalishi talabasi karimova gulhayo ning “radioelektronika asoslari” fanidan

Bipolyar tranzistorning aktiv rejimda ishlashi. UB ulanish sxemasida
aktiv rejimda ishlayotgan n-p-n tuzilmali diffuziyali qotishmali bipolyar
tranzistorni o‘zgarmas tokda ishlashini qo‘rib chiqamiz (24 a-rasm). Bipolyar
tranzistorning normal ishlashining asosiy talabi bo‘lib baza sohasining yetarlicha
kichik kengligi W hisoblanadi; bu vaqtda
WL sharti albatta bajarilishi kerak (L-bazadagi asosiy bo‘lmagan zaryad
tashuvchilarning diffuziya uzunligi).
Bipolyar tranzistorning ishlashi uchta asosiy hodisaga asoslangan:
- emitterdan bazaga zaryad tashuvchilarning injeksiyasi;
- bazaga injeksiyalangan zaryad tashuvchilarni kollektorga o‘tishi;
- bazaga injeksiyalangan zaryad tashuvchilar va kollektor o‘tishga
yetib kelgan asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilarni bazadan kollektorga
ekstraksiyasi.
Emitter o‘tish to‘g‘ri yo‘naliishda siljiganda (UEB kuchlanish manbai bilan
ta’minlanadi) uning potensial to‘siq balandligi kamayadi va emitterdan bazaga
elektronlar injeksiyasi sodir bo‘ladi. Elektronlarning bazaga injeksiyasi, hamda
kovaklarni bazadan emitterga injeksiyasi tufayli emitter toki IE shakllanadi.

Bipolyar tranzistorning ulanish sxemalari
Umumiy emitterli (UEli) sxema
UEli sxema quvvat bo‘yicha eng katta kuchytirish koeffitsientiga ega, shuning uchun yuqori chastotali kuchaytirgichlar uchun eng keng tarqalgan yechim bo‘lib qolmoqda.
Umumiy emitterli sxema bu tranzistorning emitteri ham kirish signalini ulanishi uchun, ham yuklamani ulanishi uchun ishlatiladigan kuchaytirgich hisoblanadi. Umumiy emitterli sxema bo‘yicha ulangan tranzistorli kuchaytirgichning funksional sxemasi 1.5- rasmda keltirilgan.
Bu sxemada to‘rt burchak fonda 1.4- rasmda keltirilgan kuchaytirgichning chegaralari ko‘rsatilgan. Unda tranzistorning ta’minot zanjirlari ko‘rsatilmagan. Hozirgi vaqtda umumiy emitterli sxema ovoz kuchaytirgichlarida deyarli qo‘llanmaydi, lekin televizion signal kuchaytirgichlari, GSM kuchaytirgichlari va boshqa yuqori chastotali kuchaytirgichlarda ular keng qo‘llanadi.

9- rasm. Tranzistorning umumiy emitterli sxema bo‘yicha ulanishining funksional sxemasi

Tranzistorni umumiy emitterli sxema bo‘yicha ulanishi sxemasining kirish qarshiligi tranzistorning kirish xarakteristikasi orqali aniqlanadi. U tranzistorning baza toki, demak, kollektor tokiga bog‘liq bo‘ladi. Tranzistorni umumiy emitterli sxemasining amplituda-chastota xarakteristikasida yuqori kuchaytirish chastotasi tranzistorning boshqa ulanish sxemalariga qaraganda minimal bo‘ladi. Umumiy emitterli sxema bo‘yicha tranzistorning yuqori kuchaytirish chastotasi f_β (f_h21e) chastota orqali cheklangan.

Umumiy bazali sxema
Umumiy bazali sxema odatda yuqori chastotalarda qo‘llanadi. Tranzistorning bunday ulanish sxemasining quvvat bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti umumiy emitterli sxemaga qaraganda kichik bo‘ladi. Bu tranzistorning umumiy bazali ulanishi sxemasi tok bo‘yicha kuchaytirmasligiga bog‘liq. Bu sxemada kuchaytirish faqat kuchlanish bo‘yicha bo‘lib o‘tadi. Tranzistorning umumiy bazali ulanishi funksional sxemasi 10- rasmda keltirilgan.