|
GIF, IF: 0.325).
8. Daliev Sh. Kh., Vlasov S.I. Nonequilibrium processes in MIS-structures on the
basis of silicon, doped with hafnium. Journal of Scientific and Engineering
Research (JSAER), 2017, 4(4), p.11-13 (№ 23 GIF, IF: 0.543).
9. Daliev Sh.Kh. Deep Levels of Zirconium in Silicon and Silicon Structures.
World Journal of Engineering Research and Technology (WJERT), 2017, Vol.
3, Issue 6, р. 89 -94. (№ 23 GIF, IF: 4.326).
II бўлим (II часть, part II)
10. Далиев Х.С., Утамурадова Ш.Б., Бозорова О.А., Далиев Ш.Х. Изучение
свойств кремния, легированного гафнием при выращивании.-
Естественные и технические науки, РАН, 2009, № 2(40), с.25-27.
11. Утамурадова Ш.Б., Рахмонов Ж.С., Далиев Ш.Х.Дефектообразование в
кремнии, легированном цирконием. - Естественные и технические науки,
РАН, 2009, № 2(40), с.31-33.
45
12. Далиев Ш.Х. Неравновесные процессы в объеме и на границе раздела Si-
SiO
2
кремниевых МДП-структур с примесью титана. - Естественные и
технические науки, РАН, 2009, № 6(44), с.53-55.
13. Власов С.И., Далиев Ш.Х. Влияние гафния на генерационные характе-
ристики кремниевых многослойных структур. - Естественные и
технические науки, РАН, 2010, № 6(50), с.52-54.
14. Далиев Ш.Х. Неравновесные процессы при легировании кремниевой
подложки МДП-структур цирконием. Естественные и технические науки,
РАН, 2012, № 5(61), с. 64-65,
15. Власов С.И., Далиев Ш.Х. Влияние атомов титана на параметры МДП-
структур. Труды Х-й Всероссийской научной конференции студентов–
физиков и молодых ученых (ВНКСФ-10), г. Москва, 2004, ч.2, с.1171-
1172.
16. Далиев Х.С, Далиев Ш.Х. Cпектроскопия дефектов в кремнии, ле-
гированном гафнием и никелем. Труды IV-международной конференции
«Аморфные и микрокристаллические полупроводники», Санкт-
Петербург, июль, 2004, с.372-373.
17. Daliev Kh.S., Utamuradova Sh.B., Daliev Sh.Kh. Сapacitance transient
spectroscopy of radiation defects on the interface Si-SiO
2
of silicon MIS-
structures. Тезисы докладов VIII-международной конференции «Физика
твердого тела», август 2004 г., Алма-ата, с.86-87.
18. Далиев Ш.Х. Роль гафния в процессах дефектообразования в кремнии.
VI-Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников
и полупроводниковой опто- и наноэлектронике, г. Санкт-Петербург,
2004, cтр. 107.
19. Далиев Ш.Х. Дефектообразование в кремнии, легированном гафнием.
Труды XI-Всероссийской научной конференции студентов-физиков и
молодых учёных (ВНКСФ-11), г. Екатеринбург, 2005, стр. 554-555.
20. Власов С.И., Далиев Ш.Х. Исследование влияния
-облучения на
свойства переходного слоя Si-SiО
2
.Труды Международной научно-
методической конференции «Фундаментальные и прикладные проблемы
физики полупроводников», г. Андижан, 2005, стр. 45-46.
21. Далиев Ш.Х. Влияние термообработки на свойства кремния с примесью
гафния. Сборник тезисов XIII Международной научной конференции
студентов, аспирантов и молодых ученых «ЛОМОНОСОВ», г. Москва,
МГУ, 2006, стр. 166-167.
22. Sh.B.Utamuradova, Kh.S.Daliev, S.I.Vlasov, Sh.Kh.Daliev. Effect of
-
irradiation on the behaviour of silicon doped with hafnium. The sixth
International conference “Modern problems of nuclear physics”, Tashkent,
2006, p. 174-175.
23. Далиев Ш.Х. Емкостная спектроскопия дефектов в кремниевых МДП–
структурах с примесью гафния. Материалы Международной научно-
технической школы-конференции МИРЭА-2006, 5-9 декабря 2006 г., г.
Москва, стр. 288-290.
46
24. Vlasov S.I., Daliev Sh.Kh. Radiation defects at the Si-SiO2 Interface of MIS-
Structures Based on Silicon Doped Zirconium. - VII Международная конф.
«Современные проблемы ядерной физики», Ташкент, 2009 . сентябрь, с.87-88.
25. Далиев Ш.Х., Власов С.И. Исследование генерационных процессов в
объеме и на границе раздела Si-SiO
2
кремниевых МДП-структур с
примесями титана и гафния. Матер. 2-Междунар.конф. «Неравновесн.
процессы в п\п и п\п структурах», Ташкент, 2009, с.35-37.
26. Далиев Ш.Х. Влияние примесей редкоземельных элементов на свойства
системы Si-SiO
2
с термическим окислом, облученной гамма-квантами.
Труды
Международной
научно-технической
конференции
«INTERMATIC-2009», Москва, 7 - 11 декабря 2009 г., с.177-179.
27. Власов С.И. Далиев Ш.Х. Изучение релаксационных явлений в крем-
ниевых многослойных структурах с помощью емкостной спектроскопии.
Труды XXII Междунар. Конф. «Релаксационные явлений в полу-
проводниках» в г. Воронеж, 2010, с.96-97.
28. Далиев Ш.Х., Арипджанова Х.А. Изучение воздействия лазерного
излучения на свойства кремния, легированного гафнием. Матер.
Международной конференции «Актуальные проблемы молекулярной
спектроскопии конденсированных сред» Самарканд, сентябрь, 2016 г.,
с.40-41.
29. Daliev Sh.Kh., Bekmuratov M.B., Aripdjanova Kh.A. Study of relaxation
processes in multilayer structures by non-stationary capacitance spectroscopy.
Symposium proceedings IPS 2016 «New Trends оf Development
Fundamental and Applied Physics: Problems, Achievements and Prospects»,
10-11 November 2016, Tashkent, Uzbekistan, р.240-241.
30. Daliev Sh. Kh. The study of the physical processes in the bulk and at the
interface of mis structures based on silicon doped with impurities of the
titanium subgroup Symposium proceedings IPS 2016 «New Trends оf
Development Fundamental and Applied Physics: Problems, Achievements and
Prospects», 10-11 November 2016, Tashkent, Uzbekistan, р.169-170.
31. Далиев Ш.Х. Влияние гамма-облучения на поведение кремния,
легированного
гафнием.
Матер.
Международной
конференции
“Фундаментальные и прикладные вопросы физики”, Ташкент, 13-14 июня
2017, с.112-113.
32. Далиев Ш.Х., Арипджанова Х.А., Хакимжонов С. Дефектообразование в
кремниевых МДП-структурах с примесью циркония. Матер.
Респ.научн.конф. «Неравновесные процессы в полупроводниках и
полупроводниковых структурах», Ташкент. 1-2 февр, 2017 г., С.89-90.
33. Sh.Kh.Daliev. Capacitive Spectroscopy of Defects in Semiconductors with
Impurity of Zirconium. XXIII International School-Seminar "Spectroscopy of
Molecules and Crystals" 20 September 2017, in Kyiv, Ukraine, р.211-212.
47
Автореферат «Тил ва адабиёт таълими» журнали таҳририятида ўзбек, рус
ва инглиз (резюме) тилларида таҳрирдан ўтказилди (13.10.2017 йил).
Босишга рухсат этилди: 14.10.2017 йил
Бичими 60х84/16, «Times New Roman”
Гарнитурада рақамли босма усулида босилди.
Шартли босма табоғи 3,0 . Адади 150. Буюртма № 66.
Тошкент ахборот технологиялар университети
“Aloqachi” нашриёт-матбаа марказида чоп этилди.
Тошкент ш., Амир Темур кўчаси, 108-уй.
48
Do'stlaringiz bilan baham: |
