Ведущая организация:
Наманганский государственный университет
Защита диссертации состоится «__» _________ 2017 года в ____ часов на заседании
Научного совета DSc.27.06.2017.FM./T.34.01 при Физико-техническом институте, институте
Ионно-плазменных и лазерных технологий, Самаркандском государственном университете.
(Адрес: 100084, г. Ташкент, ул. Бодомзор йули, дом 2б. Административное здание Физико-
технического института, зал конференций. Тел./Факс: (99871) 235-30-41; e-mail: lutp@uzsci.net.
С диссертацией можно ознакомиться в Информационно-ресурсном центре Физико-
технического института (зарегистрирована за № ___). Адрес: 100084, г. Ташкент, ул. Бодомзор
йули, дом 2б. Административное здание Физико-технического института, зал конференций.
Тел./Факс: (99871) 235-30-41.
Автореферат диссертации разослан «___»_____________ 2017 г.
(протокол рассылки №____ от _____________2017 г.)
С.Л.Лутпуллаев
Председатель Научного совета по присуждению
ученой степени доктора наук, д.ф.-м.н., профессор
А.В.Каримов
ученый секретарь Научного совета по присуждению
ученой степени доктора наук д.ф.-м.н., профессор
С.А. Бахрамов
Председатель научного семинара при научном
совете по присуждению ученых степеней,
д.ф.-м.н., профессор
23
ВВЕДЕНИЕ (аннотация диссертации доктора философии (PhD))
Актуальность и востребованность темы диссертации. На сегодня в
мире в области быстро развивающейся полупроводниковой микро- и
оптоэлектроники одним из перспективных направлений является
исследования свойств примесей, создающих различные дефектные центры в
полупроводниках. В этом плане исследования направленные на изучение
влияния тугоплавких примесей на электрофизические свойства кремниевых
структур и разработке способов повышения термической стабильности и
радиационной стойкости параметров кремниевых МДП-структур являются
одними из основных задач.
В годы независимости учеными Узбекистана уделяется большое
внимание изучению процессов легирования полупроводниковых материалов
и многослойных структур примесями с глубокими уровнями (ГУ).
Достигнуты определенные успехи в разработках по повышению
фоточувствительности кремниевых структур путем введения примесей
переходных и редкоземельных элементов. В соответствии со “Стратегией
действий по дальнейшему развитию Республики Узбекистан” является
наиболее важным повышение эффективности отрасли микроэлектроники
на основе теоретических и практических исследований в области физики
полупроводников за счет внедрения инновационных технологий.
В мире на сегодня изучение взаимодействия между примесными
частицами и дефектами структуры полупроводника, влияния гетерогенности
строения МДП-структуры на перераспределение примесей открывает
возможность повышения стабильности рабочих параметров микросхем на
основе МДП-структур являющихся базовыми элементами современной
электроники. В этом плане целевые научные исследования, в том числе в
нижеприведенных направлениях: исследование электрофизических свойств
полупроводников, легированных тугоплавкими элементами и идентификация
глубоких уровней, создаваемых этими примесями; изучение влияния атомов
ТПЭ на процессы термического и радиационного дефектообразования в
кремнии; исследования взаимодействия атомов ТПЭ с неконтролируемыми
технологическими примесями; изучение влияния атомов тугоплавких
элементов на параметры различных кремниевых структур. Научные
исследования проводимые в этом направлении указывают на актуальность
темы данной диссертации.
Данное диссертационное исследование в определенной степени служит
выполнению задач, предусмотренных в Постановлении Президента Респуб-
лики Узбекистан ПП–1442 «О приоритетных направлениях развития индус-
трии Республики Узбекистан на 2011-2015 гг.» от 15 декабря 2010 года и ПП-
2789 «О мерах по дальнейшему совершенствованию деятельности Академии
наук, организаций, управления и финансирования научно-исследовательской
деятельности» от 17 февраля 2017 года а также в других нормативно-
правовых документах, принятых в данной сфере.
24
Do'stlaringiz bilan baham: |