Физика-техника институти, ион-плазма ва лазер технологиялари институти, самарқанд давлат

Объектом исследования является монокристаллический кремний, 
выращенный методом Чохральского и бестигельной зонной плавки, а также 
Si, легированный тугоплавкими примесями Zr, Ti и Hf и МДП-структуры на 
их основе. 
Предметом исследования являются спектры DLTS и ФЕ Si, легиро-
ванного Hf, Ti и Zr, эффекты взаимодействия примесей тугоплавких 
элементов с неконтролируемыми примесями, а также физические процессы, 
протекающие в МДП-структурах с примесями тугоплавких элементов. 
Методы исследований. Для проведения исследований использовались 
методы нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней (DLTS), 
фотоемкости (ФЕ) и инфракрасного (ИК) поглощения. 
Научная новизна исследования заключаются в следующем:

---

26 
показано, что эффективность образования уровней Zr, Ti и Hf в 
кремнии зависит от технологических режимов (температуры и длительности 
диффузии, а также скорости постдиффузионного охлаждения образцов); 
обнаружено, что в кремнии, легированном примесями ТПЭ в процессе 
выращивании, ГУ не наблюдаются, но последующая высокотемпературная 
обработка (ВТО) в интервале температур 1000÷1250
о
С приводит к 
активации атомов Zr, Ti и Hf и образованию глубоких уровней; 
установлено, что диффузионное введение примесей ТПЭ приводит к 
снижению эффективности образования термических и радиационных 
дефектов и стабилизации параметров кремния; 
впервые установлено, что наличие редкоземельных примесей (лантана 
или эрбия) в решетке Si увеличивает эффективность образования ГУ, 
связанных с дополнительно введенным цирконием, титаном или гафнием;
установлено, что присутствие примесей Zr, Ti и Hf в объеме подложки 
кремниевых МДП-структур, приводит к сдвигу ВЧ ВФХ в сторону 
отрицательных смещений по сравнению с контрольными образцами, что
свидетельствует об увеличении плотности поверхностных состояний МДП - 
структур и образовании положительного заряда на границе раздела Si-SiO
2
.
обнаружено, что наличие примесей ТПЭ приводит к изменению 
распределения плотности поверхностных состояний N
ss 
по ширине 
запрещенной зоны Е
g
полупроводника кремниевых МДП-структур.