Физика-техника институти, ион-плазма ва лазер технологиялари институти, самарқанд давлат

 
Ведущая организация:
Наманганский государственный университет 
 
Защита диссертации состоится «__» _________ 2017 года в ____ часов на заседании 
Научного совета DSc.27.06.2017.FM./T.34.01 при Физико-техническом институте, институте 
Ионно-плазменных и лазерных технологий, Самаркандском государственном университете. 
(Адрес: 100084, г. Ташкент, ул. Бодомзор йули, дом 2б. Административное здание Физико-
технического института, зал конференций. Тел./Факс: [phone]; e-mail: [e-mail]. 
С диссертацией можно ознакомиться в Информационно-ресурсном центре Физико-
технического института (зарегистрирована за № ___). Адрес: 100084, г. Ташкент, ул. Бодомзор 
йули, дом 2б. Административное здание Физико-технического института, зал конференций. 
Тел./Факс: [phone]. 
Автореферат диссертации разослан «___»_____________ 2017 г. 
(протокол рассылки №____ от _____________2017 г.) 

 
 
С.Л.Лутпуллаев 
Председатель Научного совета по присуждению
ученой степени доктора наук, д.ф.-м.н., профессор 
А.В.Каримов
ученый секретарь Научного совета по присуждению
ученой степени доктора наук д.ф.-м.н., профессор 
С.А. Бахрамов 
Председатель научного семинара при научном 
совете по присуждению ученых степеней,
д.ф.-м.н., профессор 

---

23 
ВВЕДЕНИЕ (аннотация диссертации доктора философии (PhD)) 
 
Актуальность и востребованность темы диссертации. На сегодня в 
мире в области быстро развивающейся полупроводниковой микро- и 
оптоэлектроники одним из перспективных направлений является 
исследования свойств примесей, создающих различные дефектные центры в 
полупроводниках. В этом плане исследования направленные на изучение 
влияния тугоплавких примесей на электрофизические свойства кремниевых 
структур и разработке способов повышения термической стабильности и 
радиационной стойкости параметров кремниевых МДП-структур являются 
одними из основных задач. 
В годы независимости учеными Узбекистана уделяется большое 
внимание изучению процессов легирования полупроводниковых материалов 
и многослойных структур примесями с глубокими уровнями (ГУ). 
Достигнуты определенные успехи в разработках по повышению 
фоточувствительности кремниевых структур путем введения примесей 
переходных и редкоземельных элементов. В соответствии со “Стратегией 
действий по дальнейшему развитию Республики Узбекистан” является 
наиболее важным повышение эффективности отрасли микроэлектроники 
на основе теоретических и практических исследований в области физики 
полупроводников за счет внедрения инновационных технологий.
В мире на сегодня изучение взаимодействия между примесными 
частицами и дефектами структуры полупроводника, влияния гетерогенности 
строения МДП-структуры на перераспределение примесей открывает 
возможность повышения стабильности рабочих параметров микросхем на 
основе МДП-структур являющихся базовыми элементами современной 
электроники. В этом плане целевые научные исследования, в том числе в 
нижеприведенных направлениях: исследование электрофизических свойств 
полупроводников, легированных тугоплавкими элементами и идентификация 
глубоких уровней, создаваемых этими примесями; изучение влияния атомов 
ТПЭ на процессы термического и радиационного дефектообразования в 
кремнии; исследования взаимодействия атомов ТПЭ с неконтролируемыми 
технологическими примесями; изучение влияния атомов тугоплавких 
элементов на параметры различных кремниевых структур. Научные 
исследования проводимые в этом направлении указывают на актуальность 
темы данной диссертации. 
Данное диссертационное исследование в определенной степени служит 
выполнению задач, предусмотренных в Постановлении Президента Респуб-
лики Узбекистан ПП–1442 «О приоритетных направлениях развития индус-
трии Республики Узбекистан на 2011-2015 гг.» от 15 декабря 2010 года и ПП-
2789 «О мерах по дальнейшему совершенствованию деятельности Академии 
наук, организаций, управления и финансирования научно-исследовательской 
деятельности» от 17 февраля 2017 года а также в других нормативно-
правовых документах, принятых в данной сфере.

---

24