Физика-техника институти, ион-плазма ва лазер технологиялари институти, самарқанд давлат

раздела Si-SiO
2
.
8. Установлено, что наличие примесей Zr, Ti и Hf приводит к 
изменению распределения плотности ПС N
ss 
по ширине запрещенной зоны Е
g
полупроводника кремниевых МДП-структур. 

---

38 
 
 

---

39 
SCIENTIFIC COUNCIL AWARDING OF THE SCIENTIFIC DEGREES 
DSc.27.06.2017. FM/T. 34.01 AT PHYSICOTECHNICAL INSTITUTE, 
INSTITUTE OF ION-PLASMA AND LASER TECHNOLOGIES, 
SAMARKAND STATE UNIVERSITY 
 
NATIONAL UNIVERSITY OF UZBEKISTAN 
 
 
 
DALIEV SHAKHRUKH KHOJAKBAROVICH 
THE INFLUENCE OF IMPURITIES IN Zr, Ti AND Hf ON 
ELECTROPHYSICAL PROPERTIES OF SILICON STRUCTURES 
 
 
 
01.04.10 – Physics of semiconductors 
 
 
 
ABSTRACT OF THE DISSERTATION OF DOCTOR OF PHILOSOPHY (PhD)
ON THE PHYSICAL AND MATHEMATICAL SCIENCES 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
TASHKENT – 2017 
 
 

---

40 
Theme of dissertation of doctor of of philosophy (PhD on physics and mathematical 
Sciences registered at the Supreme Attestation Commission at the Cabinet of Ministers of 
the Republic of Uzbekistan under number В2017.1.DSc.FM.33 
 
The dissertation has been prepared in National University of Uzbekistan
Abstract of the dissertation is posted in three languages (Uzbek, Russian, English resume)) 
on the website (fti-kengash.uz) and on Information and educational portal "ZiyoNet" 
(www.ziyonet.uz).