F I z I k a o’quv qo’llanma

 

28.5   Texnologik muammolar 

Nanoelektronikaning  hozirgi  asosiy  texnologik  vositalari  skanirlovchi  zondli 

mikroskop, 

tunnel 

mikroskop 

va 

atom-kuch 

mikrosqoplar 

yordamida 

nanotranzistorni  bitta-bitta  atomdan  to‘plab  yig‘ish  mumkin.  Lekin  bu  juda  ko‘p 

vaqtni  talab  qiladi.  Uskunalarning  o‘zi  ham  juda  qimmatbaho  sanaladi.  Hozirda 

---

 

464 

ixtiro  qilinayotgan  nanoasboblarning  keng  ko‘lamda  ishlab  chiqarishga  qo‘yila 

olinmayotganining  asosiy  sababi  ham  nanotexnologik  vosita  va  usullarning 

iqtisodiy  jihatdan  o‘zini  qoplaydigan  darajada  mahsuldor  emasligidir.  Shuning 

uchun  ham  hozirda  nanoasboblar  yasashning  qulay  va  arzonroq  usul  va  vositalari 

ustida  tadqiqotlar  olib  borish  nanotexnologiyaning  eng  dolzarb  muammolaridan 

bo‘lib qolyapti.  

Uglerod  nanonaychalarining  kashfiyotchisi  S.  Iyjima  boshliq  ilmiy  guruh  bir 

qatlamli  nanonaycha  olinadigan  standart  elektr  yoy  razryad  usulini  yanada 

takomillashtirib  ilk  uskunalarga  nisbatan  ancha  yuqori  bo‘lgan  unumdorlikka 

erishdi.  

IBM 

mutaxassislari 

esa 

uglerodli 

nanonaychalar  asosida  tranzistor 

elementlarini  yasash  usulini  ishlab  chiqishdi.  Nanonaychalarni  olishning  barcha 

usullarida  metall  va  yarimo‘tkazgich  nanonaychalarning  turli  shakldagi  aralash 

tuzilmalari  hosil  bo‘ladi.  Asosiy  muammo  ularni  ajrata  olishda  bo‘ladi.  Ularni 

ajratish  uchun  IBM  olimlari  quyidagi  «konstruktiv  qo’porish»  degan  usulni  ishlab 

chiqishdi.  Unga  ko‘ra  avval  nanonaychalarga  litografiya  usuli  bilan  metall 

kontaktlar  hosil  qilinadi.  Keyin  kontaktlar  orqali  kichik  elektr  kuchlanishi  beriladi. 

Shunda  yarimo‘tkazgichli  nanonaychalar  vaqtincha  izolyatorga  aylanib  qoladi. 

Keyin  taglikka  kuchli  elektr  kuchlanish  beriladi.  Natijada  metall  o‘tkazuvchanlikka 

ega  bo‘lgan  nanonaychalar  elektr  zarbidan  uloqtirib  tashlanadi  va  plastina  ustida 

tranzistor  yasashga  yaraydigan  yarimo‘tkazgichli  nanonaychalargina  qoladi. 

Bunday  usul  nanotranzistorlardan  iborat  nanosxemalarni  unumdorli  ishlab 

chiqarishga  keng yo‘l ochishi ta’kidlanmoqda.