Ёруғлик нурининг модда билан ўзаро таъсири ва бу таъсир натижасида ёруғлик энергиясининг модда атомлари электронларига узати-лиш ҳодисаси фотоэлектр эффект ёки қисқа қилиб фотоэффект дейи-лади

2-hol. Optik nurlanish yo‘nalishiga r-p o‘tish parallel joylahgan hol. Nurlanish kengligi d ga teng bo‘lgan tuzilmaga tushadi.

Perpendikulyar va parallel joylashgan r-p o‘tishlar uchun yig‘ish (jamlash) koeffitsienti (effektivligi) quyidagi munosabatlar bilan aniqlanadi.
γ = ( L_p +L_r)/ ℓ (6) va γ == ( L_p +L_r)/d (7)
bu erda, L_r – teshiklarning diffuziya yo‘li uzunligi.

Birinchi qarashda r-p o‘tishning parallel joylashishi afzalroq ko‘rinadi, chunki hosil bo‘lgan zaryad juftliklarini to‘laligicha yig‘ish va ajratish uchun YAO‘ material qalinligiga va r-p o‘tishga nisbatan ularning taqsimlanishi muhimdir. YAO‘ ichida juftliklarning material chuqurligiga nisbatan bir tekis hosil bo‘lishi ularning r-p o‘tish tomon diffuziya hodisasi orqali ajratilish jarayoni uchun o‘ta muhimdir. SHuning uchun, ko‘p r-p o‘tishlarga ega bo‘lgan QE larda (fotovoltlar-ko‘p sonli mikro QE lardan iboratlarda), ularning r-p o‘tishlari tushayotgan optik nurlanishga parallel joylashtiriladi. Optik nurlanishning uzun to‘lqinli qismida, bu konstruksiya zaryad tashuvchilarning yig‘ishning yuqori samaradorligiga ega bo‘ladi, hamda bir birlik yuzadan katta miqdordagi foto-EYUK olishga imkon yaratadi.

Ammo, asosiy muammolardan biri bo‘lib, nisbatan kichkina o‘lchamli parallel joylashgan r-p o‘tishlarga ega bo‘lgan mikro QE larida rekombinatsiya hodisasining perpendikulyar joylashgan r-p o‘tishlarga nisbatan kattaligi nazariy va amaliy jihatdan aniqlandi. SHuning uchun, bu turdagi QE uchun quyosh nurlanishiga qaratilgan yuzasida qisqa to‘lqinli nurlar spektral effektivligini oshirish uchun, qo‘shimcha kirishmalar kiritilgan teskari tipdagi o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan =ushimcha yupqa qatlam hosil qilish maqsadga muvofiqdir. YA’ni, yana qisman perpendikulyar konstruksiya elementiga qaytish maqsadga muvofiqdir.

Parallel joylashgan r-p o‘tishli QE larida hosil bo‘lgan elektron-teshik juftliklar konsentratsiyasi (M) material yuzasidan ichkarisiga qarab o‘zgaradi. Perpendikulyar joylashgan r-p o‘tishli QE konstruksiyasi uchun esa p-tipdagi material uchun ham r-tipdagi uchun ham hosil bo‘layotgan juftliklarning aksariyati r-p o‘tishga yaqin joyda hosil bo‘ladi. Hosil bo‘ladigan elektron-teshik juftliklar birlik chuqurlikda quyidagi tenglama orqali aniqlanadi.
M = N_o α exp(-αℓ) (8)
bu erda, N_o-bir birlik yuzaga tushayotgan kvantlar soni. Juftliklar soni, ichkariga qarab kamayib boradi. Ularning sonini YAO‘ materialda yutilishi mumkin bo‘lgan sohada α (E) ni aniqlash mumkin. SHunday hisoblashlarning kremniy uchun

natijasi, bir necha qiymatga ega bo‘lgan to‘lqin uzunliklari uchun quyidagi 5-rasmda berilgan. P- va r-tip materialdagi zaryad tashuvchilarning diffuzion uzunliklari sohalarini chegaralagan vertikal chiziqlar, r-p o‘tish perpendikulyar bo‘lgan hol uchun zaryad tashuvchilar jamlash jarayonini baholash imkonini beradi. CHiziqlar ordinatalari α exp(-αℓ) ga proporsional bo‘lib, abssissalar esa YAO‘ material yoritilgan yuzasidan ichkariga kirish chuqurligini ko‘rsatadi. O‘klar orasidagi chiziqlar bilan chegaralangan yuzalar – tushayotgan kvantlar oqimiga teng, ordinatalar bilan chegaralangan yuzalar ℓ = ℓ_d ℓ_n va (ℓ_d +ℓ_n ) (shtrixlangan qism) – qisqa tutashuv tokini ko‘rsatadi. SHunday qilib, shtrixlangan yuzaning umumiy yuzaga nisbati ichki fotoeffekt kvant chiqishini aniqlovchi ifodaga asosan (β = 1 hol uchun) yig‘ish effektivligini beradi.

Quyosh elementlarining planar konstruksiyasi ( optik nurlanish tuzilma yuzasiga perpendikulyar tushgan hol) QE texnologiyasida va ularni amaliy ishlatishdagi asosiy konstruksiyadir. Bunday QE har xil YAO‘ materiallar asosida ishlab chiqildi .YUqorida keltirilgan tahlillar asosida yuqori samarali optimallahgan konstruksiyalar ishlab chiqildi. Ammo har qanday material uchun ham ularga qo‘yiladigan yuqorida keltirilgan asosiy talablar saqlab qolinishi kerakligi aniqlandi. γ ni va Ikz oshirish uchun r-p o‘tishning ikkala tomonida xam albatta diffuzion uzunlikni oshirish maqsadga muvofiqdir. Buni amalga oshirish uchun kerakli material tanlash va r-p o‘tishni texnologik tayyorlash jarayonida diffuzion uzunlikni pasaymasligiga harakat qilish kerak. Agar uning pasayshi aniq bo‘lsa uni hisobga olish zarurdir. Agar L_d ni frontal sirtda oshirish imkoniyati bo‘lmasa, u holda frontal sirt qalinligini L_p>>ℓ ga amal qilgan holda olish kerak. SHu asosda baza parametrlarini tanlash zarurdir.