Электростатика

раздельными регистрами ввода-вывода информации и 
п
-
накопительными регистрами (рис. 5.12). 
Накопительные регистры (HP)формируются на основе 
ДПС и информация в них поступает из генератора Г через ре-
гистр ввода (РВ) и однонаправленного переключателя (П). На-
копительные регистры связаны с регистром вывода Р
выв
с по-
мощью репликаторов-переключателей (Р/П), которые при счи-
тывании работают в режимах реплицирования. Копии выбран-
ного блока информации изHP попадают вP
выв
,а далее в детек-
торД
.
В свободные поля через однонаправленные переключате-
ли записываются новые информационные блоки (рис. 5.12, 
а
). 
На рис. 5.12, 
б
приведены схемы операций обработки информа-
ции. Позиция1 иллюстрирует операцию стирания вР/П
, 
2 - за-
пись в однонаправленном переключателе и3 - считывание вР/П
.
В этом случае информация считывается без ее разрушения. 
Рис. 5.12. Организация последовательно-параллельной 
структуры хранения информации: 
а
– с раздельным входом-
выходом; 
б
– схема обработки информации 
Конструкция ЗУ на ЦМД приведена на рис. 5.13. Микро-
сборка монтируетсяв корпусе
 5 
типа DIP. Отдельный чип изго-
товляется по планарной технологии групповым методом. В по-

---

188 
следнее время в качестве подложки чипа используется сапфи-
ровая подложка. На нее наносится феррит-гранатовая пленка, в 
которой могут образовываться домены. С помощью фотолито-
графии формируются токовые шины, пермаллоевые (Ni/Fе) 
до-
менопередвигающие структуры
. ЧИП защищен пленкой нит-
рида кремния и закрепляется на диэлектрической немагнитной 
пластине. Два постоянных самарий-кобальтовых магнита 3 соз-
дают внешнее поле 
Н
вн
,, формирующее в феррит-гранатовой 
пленке ЦМД оптимальных размеров. Между постоянными маг-
нитами помещены две ортогональные катушки2и4
,
управляе-
мые смещенными на 90° по фазе токами. Это позволяет создать 
управляющее поле 
Н
упр
, вращающееся по часовой стрелке в 
плоскости ЧИПа: собранная конструкция помещается в корпус 
со стандартными штырьками, который экранируется от внеш-
него магнитного поля. 
Рис. 5.13. Конструкция микросборки ЗУ на МВД (
а
)
и структура слоев отдельного чипа (
б
) 
ЗУ на ЦМД формируется в ЦМД-накопитель, состоящий 
из нескольких ЦМД-микросборок. Последние выполняют ряд 
сложных функций, среди которых роль носителей записанного 

---

189 
информационного массива, обслуживающих электронных схем 
и узлов для обеспечения замен, считывания и регенерации ин-
формации. 
Основным элементом ЦМД-накопителя являются ЦМД-
микросборки, содержащие в корпусе одну (однокристальные) 
или несколько (многокристальные) ЦМД-микросхемы, катушки 
управления полем, постоянные магниты, плату управляющих 
схем и электромагнитный и электростатический экраны. 
Повышение плотности записи информации в устройствах 
на ЦМД-доменах может быть достигнуто за счет уменьшения 
диаметра домена. На доменах диаметром около 1 мкм созданы 
ЗУ с плотностью записи порядка 10
8
бит/см
2
.
Разрабатываются устройства с субмикронными размерами 
доменов. 
Уменьшения размеров носителя информации можно по-
лучить, перейдя на ЗУ на вертикальных блоховских линиях. 
Информационный массив в этом случае формируется из страй-
пов. 
Канал ввода информации состоит из генератора ВБЛ, до-
менопередвигающей структуры с числом позиций равной числу 
страйпов и токовых шин. Эта система осуществляет преобразо-
вания типа ЦМД ВБЛ. 
Канал вывода информации имеет в своем составе систему 
репликаторов (по числу страйпов), осуществляющих преобра-
зование типа ВБЛ ЦМД. Сформированная кодовая последо-
вательность ЦМД направляется в детектор, где происходит счи-
тывание информации. Информационная емкость ЗУ на ВВЛ 
достигает 1,5 ∙ 10
9
бит. 
Ведутся исследования по созданию «интеллектуальных» 
ЦМД-ВБЛ систем, в которых на одном кристалле размещены 
логический процессор и информационный массив. В такой сис-
теме можно совместить на одной плате процессы хранения и 
обработки информационных массивов в реальном масштабе 
времени со скоростью выше 10
10
байт/с. 

---

190 
Устройства памяти на цилиндрических магнитных доме-
нах весьма перспективны. Плотность записи таких устройств 
достигает 10
5
бит/см
2
при скорости обработки информации 
3∙10
6
бит/с. Преимущество этих устройств заключается также в 
том, что магнитные домены могут составить систему идентич-
ных элементов, реализующих функции логики, памяти и ком-
мутации без нарушения однородности структуры материала но-
сителя информации. Следовательно, кристалл на магнитных 
доменах является вычислительной средой, на поверхности ко-
торой посредством системы внешних аппликаций можно раз-
мещать схемы, реализующие различные комбинации логиче-
ских и переключающих функций и функций памяти.