Электростатика

двумя ус-
тойчивыми состояниями
.
Эти состояния пленки обеспечива-
ются благодаря одноосной магнитной анизотропии - предпоч-
тительной ориентации вектора намагниченности, которая соз-
дается в процессе изготовления пленки или при ее последую-
щей термической обработке с помощью внешнего магнитного 
поля.Тонкие пленки пермаллоя (сплав никеля и железа с не-
большими добавками меди, хрома и молибдена) можно изгото-
вить так, что их магнитные свойства в разных направлениях бу-
дут сильно различаться. В направлении 
оси трудного намагни-
чивания
(ОТН) петля гистерезиса практически полностью от-
сутствует, зато под прямым углом к ней в направлении 
оси лег-
кого намагничивания
(ОЛН) петля гистерезиса является почти 
полной (рис. 5.15, 
а
). Это свойство используется в двух видах 
интегральной памяти: элементе памяти с плоскими магнитными 
пленками (рис. 5.15, 
б
) и элементе памяти с электролитическим 
магнитным покрытием, нанесенным на проволоку (рис. 5.15, 
в
).
При хранении информации пермаллойные элементы на-
магничены в одном или другом направлении оси легкого на-
магничивания, которое совпадает с продольным направлением 
в пленке и является окружностью для проволоки с электроли-
тическим покрытием. При записи ток слов делает направление 
намагниченности почти совпадающим с направлением оси 
трудного намагничивания. Ток чисел отклоняет направление 
намагниченности в ту или другую сторону, так что после про-
хождения импульсов намагниченность устанавливается в на-
правлении ОЛН. 

---

193 
Рис. 5.15. Использование тонких магнитных пленок
для элементов памяти ЭВМ:
а
– петля гистерезиса тонкой
магнитной пленки; 
б
– элемент памяти с плоскими 
магнитными пленками; 
в
– элемент памяти
с электролитическим магнитным покрытием,
нанесенным на проволоку 
Третьим типом интегральной памяти на магнитных плен-
ках является плоская проволочная память (рис. 5.16). Ее изго-
товляют путем электролитического нанесения пленки пермал-
лоя на медно-бериллиевую проволоку. Прямые параллельные 
отрезки такой проволоки образуют линии чисел; проводящие 
ленты, протянутые в поперечном направлении, служат линиями 
слов. Запоминание осуществляется намагничиванием по ок-
ружности пленки, нанесенной электролизом на проволоку, при-
чем это соответствует направлению оси легкого намагничива-
ния, которое устанавливается при электролизе за счет пропус-
кания постоянного тока через проволоку. Ток слов направляет 
поле по оси проволоки, т. е. в направлении оси трудного намаг-
ничивания. Это индуцирует напряжения в линиях чисел, при-

---

194 
чем небольшие токи чисел направляют поля вдоль оси легкого 
намагничивания. 
 
Рис. 5.16. Плоская проволочная память 
На тонких магнитных пленках могут быть выполнены не 
только элементы памяти ЭВМ, но также логические микросхе-
мы, магнитные усилители и другие приборы. 

---

195