Электроника ва схемалар 2 фани, мазмуни ва усуллари

3. ИМСлар пассив элементлари ва улани таёрлаш технологиялари

• Интеграл микросхемалар резисторлари яримўтказгич юпқа қатлами бўлиб, кристаллнинг керакли қисмларида, диффузион p-n ўтиш ясаш орқали ҳосил қилинади.
• Бундай резисторларга диффузион резисторлар дейилади.
• Диффузион резисторларнинг асосий параметрлари қуйидагилар:

1. Резистор қаршилигининг номинал қиймати, Ом;

2. Резистор қаршилигининг температуравий

коэффициенти, Ом/град.;

3. Максимал қувват (Рmax), Вт;

4. Максимал ток (Imax), А;

5. Максимал кучланиш (Umax), В.

Интеграл микросхемалар резисторлари

.

Интеграл конденсаторлар

• Интеграл конденсаторлар сифатида p-n ўтишнинг тўсиқ сиғими ишлатилиши мумкин. Бу сиғим p-n ўтишга тескари кучланиш берилганда ҳосил бўладиган сиғимдир.
• Бундан ташқари металл-диэлектрик- яримўтказгич структуралар сиғимини ҳам ишлатиш мумкин.
• Р-n ўтишнинг тўсиқли сиғимини фойдаланиш интеграл конденсаторлар, интеграл микросхема таркибига кирувчи транзисторнинг ҳар қандай p-n ўтишдан тайёрланади.
• Бу база-эмиттер ёки база-коллектор ўтишлари асосида амалга оширилади.
• Интеграл конденсаторларнинг асосий параметрлари қуйидагилар:

1. Солиштирма сиғим, яъни бирлик юзага тўғри келувчи

сиғим қиймати, Ф/м2;

2. Мумкин бўлган максимал кучланиш, В;

3. Сиғимнинг температуравий коэффициенти, Ф / град;

4. Асллик

 

4. Наноэлектроника ва функционал электроника ҳақида тушинчалар

• Функционал электроника —микроэлектрониканинг замонавий долзарб йўналишларидан бири ҳисобланади.
• Функционал электроника асбобни битта яхлит ишловчи қурилма сифатида қарайди.
• Функционал электроника йўналишлари:
• Функционал акустоэлектроника,
• Функционал магнитоэлектроника,
• Функционал оптоэлектроника,
• Функционал диэлектрик электроника,
• Молекуляр электроника ва ҳ.к.