Электроника ва схемалар 2 фани, мазмуни ва усуллари

Типик биқутбий интеграл транзистор геометрияси (а) ва кўндаланг кесими (б).

1-эмиттер; 2-база; 3-коллектор; 4-таглик.

2.Интеграл схемаларда МДЯ транзисторлари ва уларни тайёрлаш техналогияси

• ИМСларда асосан затвори изоляцияланган ва канали индукцияланган МДЯ–транзисторлар қўлланилади.
• Транзистор каналлари р- ва n-турли ўтказувчанликка эга бўлиши мумкин.
• МДЯ–транзисторлар фақат транзисторлар сифатида эмас, балки конденсаторлар ва резисторлар сифатида ҳам қўлланилади.
• МДЯ – тузилмаларни яратишда элементларни бир – биридан изоляция қилиш операцияси мавжуд эмас, чунки қўшни транзисторларнинг исток ва сток соҳалари бир–бирига йўналган томонда уланган р-n ўтишлар билан изоляцияланган.
• Шу сабабли МДЯ–транзсторлар бир–бирига жуда яқин жойлашиши мумкин, демак катта зичлик таъминланади.

2. Интеграл схемаларда диодлар ва уларни таёрлаш технологиялари

• Биполяр транзисторли ИМСларда асосий тузилмаси сифатида транзистор танланган.
• Яримўтказгичли интеграл схемаларда диод сифатида интеграл транзисторларнинг битта p-n-ўтиши ишлатилади.
• Бунда диодлар транзистор структурасини диод уланиши орқали ҳосил қилинади.
• Диод сифатида ишлатиладиган транзисторнинг 5 хил уланиш вариантлари мавжуд.
• Агар диод ясаш учун эмиттер – база ўтишдаги р-n ўтиш қўлланилса, у ҳолда коллектор – база ўтишдаги р-n ўтиш узик бўлади.

Интеграл диодлар

Интеграл диодлар

• Интеграл диодларнинг параметрлари қуйидагилардан иборат:
• 1. Диоднинг ишдан чиқиш кучланиши Uтўғ, В;
• 2.Тескари ток каттталиги Iтес, нА;
• 3.Диоднинг сиғими (ишлатилаётган p-n ўтишнинг тўсиқ сиғими), пФ;
• 4.Тескари токнинг тикланиш вақти tт, нс.
• База – эмиттер ва коллектор уланишда (б – расм) транзистор базаси эмиттер билан диоднинг аноди сифатида хизмат қилади.
• Катод сифатида эса транзисторнинг коллектори ишлатилади.