Электроника ва схемалар 2 фани, мазмуни ва усуллари

1. ИМС и этапы их развития

• Основными проблемами технологии микроэлектроники являются:
• - создать максимальное количество элементов ИС при минимальном объеме, низком энергопотреблении, высокой надежности и стабильной обработке данных.
• Только максимальная автоматизация технологического процесса обеспечивает развитие микроэлектроники.
• В настоящее время микроэлектроника достигла своего этапа развития, и теперь появляется область наноэлектроники для дальнейшего развития промышленности, решения современных задач.

2. Активные элементы ИМС.

• Яримўтказгичли интеграл микросхеманинг асосини n-р-n турдаги биқутбий транзистор ташкил қилади.
• Биқутбий транзисторлар тайёрлашда асосан диффузион технология қўлланилади.
• Транзисторлар тайёрлашда энг кенг қўлланилаётгани планар технология усули ҳисобланади.
• Бу усулда интеграл транзисторлар компоненталари ягона технологик жараёнда яримўтказгичли пластинканинг бир сиртига тайёрланади.
• Планар технология орқали интеграл транзисторларни тайёрлаш усули қуйидагича: биринчи навбатда механик ва кимёвий ишлов берилгандан сўнг, кремний пластинаси сиртига кремний икки оксиди (SiO2) 0.1-1мкм қалинликда ҳосил қилинади.

2. Активные элементы ИМС

• Основой полупроводниковой интегральной схемы является биполярный транзистор n-р-n типа.
• Диффузионная технология в основном используется при производстве биполярных транзисторов.
• Наиболее широкое распространение в производстве транзисторов получил метод планарной технологии.
• В этом методе компоненты интегральных транзисторов изготавливаются на одной поверхности полупроводниковой пластины в едином технологическом процессе.
• Способ изготовления интегральных транзисторов по планарной технологии заключается в следующем: после предварительной механической и химической обработки на поверхности кремниевой пластины образуется двуокись кремния (SiO2) толщиной 0,1-1 мкм.